[發明專利]具有狹縫閥隧道支撐件的處理室有效
| 申請號: | 201010617693.0 | 申請日: | 2010-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN102117735B | 公開(公告)日: | 2015-11-25 |
| 發明(設計)人: | S·安瓦爾 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陸嘉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 狹縫 隧道 支撐 處理 | ||
1.一種具有狹縫閥隧道支撐件的處理室,所述處理室包含:
室體,所述室體具有經設置以允許基板通過的隧道;
狹縫閥,所述狹縫閥布置在所述室體的外部以有選擇地密封所述隧道;和
支撐組件,所述支撐組件剛性地連接在所述室體與所述狹縫閥的外殼之間 以防止所述隧道變形,其中所述支撐組件進一步包括:
管支撐件,所述管支撐件連接至所述狹縫閥的外殼;和
板支撐件,所述板支撐件連接至所述管支撐件和所述室體。
2.一種具有狹縫閥隧道支撐件的處理室,所述處理室包含:
室體,所述室體具有經設置以允許基板通過的隧道;
狹縫閥,所述狹縫閥布置在所述室體的外部以有選擇地密封所述隧道;和
支撐組件,所述支撐組件剛性地連接在所述室體與所述狹縫閥的外殼之間 以防止所述隧道變形,其中所述支撐組件包含:
板支撐件,所述板支撐件布置在所述狹縫閥的外殼之上并且至少沿著穿 過所述室體形成的所述隧道的長度延伸。
3.一種具有狹縫閥隧道支撐件的處理室,所述處理室包含:
室體,所述室體具有經設置以允許基板通過的隧道;
狹縫閥,所述狹縫閥布置在所述室體的外部以有選擇地密封所述隧道;和
支撐組件,所述支撐組件剛性地連接在所述室體與所述狹縫閥的外殼之間 以防止所述隧道變形,其中所述支撐組件包含:
空心管支撐件,所述空心管支撐件連接至在穿過室體形成的所述隧道之 上的所述處理室。
4.根據權利要求1或2所述的處理室,其中所述板支撐件連接至所述室體 的蓋。
5.根據權利要求1或2所述的處理室,其中所述板支撐件連接至氣體分配 組件的墊板。
6.根據權利要求1所述的處理室,其中所述板支撐件和所述管支撐件由鋼 形成。
7.根據權利要求1、2或3所述的處理室,進一步包含:
蓋,所述蓋封閉所述室體;和
蓋加勁板和/或蓋加勁管,所述蓋加勁板和/或蓋加勁管連接至所述蓋的頂 面。
8.根據權利要求1、2或3所述的處理室,進一步包含:
蓋,所述蓋封閉所述室體;和
射頻導電蓋加勁板,所述射頻導電蓋加勁板連接至蓋的頂面。
9.根據權利要求8所述的處理室,進一步包含:
加勁管,所述加勁管在所述蓋的一側上連接至所述加勁板。
10.根據權利要求8所述的處理室,進一步包含:
覆蓋板,所述覆蓋板布置在所述蓋加勁板之上,所述覆蓋板將所述蓋加勁 板和射頻電源電連接作為接地返回路徑的一部分。
11.根據權利要求10所述的處理室,進一步包含:
導體,所述導體在所述蓋與覆蓋板之間提供射頻連接。
12.根據權利要求10所述的處理室,進一步包含:
導體,所述導體連接在所述蓋與覆蓋板之間。
13.根據權利要求12所述的處理室,其中所述導體進一步包含:
鋁板。
14.根據權利要求12所述的處理室,其中所述導體進一步包含:
第一突出部,所述第一突出部連接至所述蓋;和
第二突出部,所述第二突出部平行于所述第一突出部布置并且自所述第一 突出部偏移,所述第二突出部連接至所述覆蓋板。
15.根據權利要求12所述的處理室,其中所述導體進一步包含Z形側斷 面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





