[發(fā)明專利]氫氣凈化方法和系統(tǒng)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010617496.9
• 申請日: 2010-12-31
• 公開（公告）號: CN102173384A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發(fā)明（設計）人: 朱國平
• 申請（專利權）人: 重慶大全新能源有限公司
• 主分類號: C01B3/56
• 分類號: C01B3/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種氫氣凈化方法，用于凈化多晶硅生產過程中干法回收分離出的原料氣，其特征在于，包括：

吸收步驟，將所述原料氣從吸附塔底部通入吸附塔內進行吸附提純，所述吸附塔底部設置有吸附劑床層，所述吸附劑床層包括活性炭；

解吸步驟，包括將完成吸收步驟的吸附塔進行熱卸壓、向吸附塔進行通入高純氫氣進行熱吹掃；

冷加壓步驟，對吸附塔進行高純氫氣充壓，同時對吸附劑床層進行冷卻；

冷卻步驟，將完成冷加壓步驟的吸附塔中的吸附劑床層繼續(xù)進行冷卻，直至冷卻溫度達到工藝控制指標。

2.根據(jù)權利要求1所述的氫氣凈化方法，其特征在于，所述解吸步驟中，在熱卸壓完成后，還包括：

對吸附塔進行抽真空，以降低被吸附組分的分壓。

3.根據(jù)權利要求1至2所述的氫氣凈化方法，其特征在于，所述解吸步驟包括：

對吸附劑床層進行加熱，并控制其溫度不低于100攝氏度。

4.根據(jù)權利要求1至2所述的氫氣凈化方法，其特征在于：

所述吸附劑床層中還包括專用吸附填料，所述專用吸附填料包括活性炭類、硅膠類和分子篩類吸附劑；

所述活性炭設置在靠近吸附塔原料氣進口端位置，所述專用吸附填料設置在所述活性炭之上，所述原料氣依次通過活性炭和專用吸附填料進行吸附提純。

5.根據(jù)權利要求4所述的氫氣凈化方法，其特征在于，在所述吸收步驟之前，還包括：

獲取原料氣中雜質的成分和含量，并計算出雜質對應的各種專用吸附填料的需求量；

按照不同專用吸附填料的吸附性能分層裝填組成吸附劑床層。

6.根據(jù)權利要求1所述的氫氣凈化方法，其特征在于：

執(zhí)行吸收步驟時，所述吸附塔內的壓力不大于2.5MPa。

7.根據(jù)權利要求1所述的氫氣凈化方法，其特征在于：

所述冷卻溫度達的工藝控制指標具體為：冷卻溫度不大于50攝氏度。

8.一種氫氣凈化系統(tǒng)，其特征在于，包括：

至少兩個吸附塔，吸附塔底部設置有吸附劑床層，吸附塔用于以循環(huán)方式順序完成吸收、解吸、冷加壓和冷加壓步驟；

所述吸附劑床層中包括活性炭和專用吸附填料；

所述活性炭設置在靠近吸附塔原料氣進口端位置，所述專用吸附填料設置在所述活性炭之上，所述原料氣依次通過活性炭和專用吸附填料進行吸附提純。

所述專用吸附填料包括活性炭類、硅膠類和分子篩類吸附劑。