[發明專利]被覆件及其制造方法

無效

• 申請號: 201010614747.8
• 申請日: 2010-12-30
• 公開（公告）號: CN102560350A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;熊小慶
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種被覆件，包括基體，其特征在于：所述被覆件還包括依次形成于基體上的鉻層、氮氧化鉻層及氮化鈦層。

2.如權利要求1所述的被覆件，其特征在于：所述鉻層、氮氧化鉻層及氮化鈦層分別通過磁控濺射鍍膜法形成。

3.如權利要求1或2所述的被覆件，其特征在于：所述氮氮化鈦層中鋁元素的質量百分含量為40％～65％，氧元素的質量百分含量為30％～45％，氮元素的質量百分含量為5％～15％。

4.如權利要求1所述的被覆件，其特征在于：所述鉻層的厚度為100～200nm。

5.如權利要求1所述的被覆件，其特征在于：所述氮氧化鉻層的厚度為0.5～1μm，所述氮化鈦層的厚度為0.3～0.5μm。

6.如權利要求1所述的被覆件，其特征在于：所述基體為不銹鋼、模具鋼或高速鋼。

7.一種被覆件的制造方法，包括以下步驟：

提供基體；

以鉻靶為靶材，于基體上磁控濺射鉻層；

以鉻靶為靶材，以氮氣及氧氣為反應氣體，于鉻層上磁控濺射氮氧化鉻層；

以鈦靶為靶材，以氮氣為反應氣體，于氮氧化鉻層上磁控濺射氮化鈦層。

8.如權利要求7所述的被覆件的制造方法，其特征在于：磁控濺射鉻層的步驟采用如下方式實現：以氬氣為工作氣體，設置氬氣流量為100～200sccm，于基體上施加-100～-300V的偏壓，鍍膜溫度為100～150℃，設置鉻靶的電源功率為5～10kw，沉積時間為5～15min。

9.如權利要求7所述的被覆件的制造方法，其特征在于：磁控濺射氮氧化鉻層的步驟采用如下方式實現：以氬氣為工作氣體，設置氬氣流量為100～200sccm，設置氮氣的流量為10～100sccm、氧氣的流量為10～100sccm；于基體上施加-100～-300V的偏壓，鍍膜溫度為100～150℃，設置鉻靶的電源功率為5～10kw，鍍膜溫度為100～150℃，沉積時間為30～60min。

10.如權利要求7所述的被覆件的制造方法，其特征在于：磁控濺射氮化鈦層的步驟采用如下方式實現：以氬氣為工作氣體，設置氬氣流量為100～200sccm，于基體上施加-100～-300V的偏壓，設置氮氣的流量為60～120sccm，設置鈦靶的電源功率為8～10kw，鍍膜溫度為100～150℃，沉積時間為30～90min。