[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201010614580.5
• 申請日: 2010-12-30
• 公開（公告）號: CN102157465A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 森本類
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L23/38
• 分類號: H01L23/38;H01L35/30;H01L35/32;H01L35/34
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種半導體裝置，其包括：

冷卻功能部件，所述冷卻功能部件包括：

有源區域，其是由雜質區域形成，形成在半導體層的表面上；

N型柵極，其是由包括N型雜質的半導體制成；

P型柵極，其是由包括P型雜質的半導體制成；

第一金屬布線，其連接至所述N型柵極、所述P型柵極和所述有源區域；

第二金屬布線，其連接至所述P型柵極和所述N型柵極；以及

散熱部，其連接至所述第二金屬布線，用于將熱量散發到外部。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述散熱部熱連接至所述第二金屬布線，所述散熱部還包括金屬層，該金屬層與用于結合的焊盤相同。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述散熱部包括散熱器，所述散熱器熱連接至所述金屬層。

4.如權利要求1、2或3所述的半導體裝置，其中，多個所述N型柵極和所述P型柵極交替電連接。

5.如權利要求1、2或3所述的半導體裝置，其中，在相同的半導體層上形成所述冷卻功能部件和有源部件。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其還包括：

第二雜質區域，其形成在所述半導體層中，所述第二雜質區域構成所述有源部件；以及

接觸層，其電連接至所述第二雜質區域，

其中，所述第一金屬布線和所述第二金屬布線包括金屬層，該金屬層是與所述接觸層相同的金屬層。

7.如權利要求5所述的半導體裝置，其中，在所述半導體層的相同半導體阱區域中形成所述有源部件和所述冷卻功能部件的所述有源區域。

8.如權利要求1、2或3所述的半導體裝置，其中，

所述半導體層、所述N型柵極和所述P型柵極是由硅制成，所述半導體裝置還包括：

硅化物擋塊，其是由絕緣體制成，在所述N型柵極和所述P型柵極的部分表面處形成所述硅化物擋塊；

硅化物，其是由金屬元素和硅制成，所述硅化物分別形成在所述N型柵極和所述P型柵極的表面上由所述硅化物擋塊所隔開的兩個部分上以及在所述有源區域的表面上；

所述第一金屬布線，其連接至所述兩個部分中的一個部分處的所述硅化物和所述有源區域的表面處的所述硅化物；以及

所述第二金屬布線，其連接至所述兩個部分中的另一個部分處的所述硅化物。

9.如權利要求1、2或3所述的半導體裝置，其中，

電路模塊的電源或地電位和所述冷卻功能部件的電源或地電位公共連接，所述半導體裝置還包括控制電路，其動態地控制公共連接的所述電源或所述地電位。

10.如權利要求1、2或3所述的半導體裝置，其中，所述N型柵極和所述P型柵極分別形成在形成于所述半導體層中的部件隔離層上。

11.一種半導體裝置的制造方法，其包括以下步驟：

在半導體層上形成半導體膜，以成為柵極；

將N型雜質注入到所述半導體膜的一部分中，將P型雜質注入到所述半導體膜的另一部分中；

通過圖案化所述半導體膜分別形成N型柵極和P型柵極；

在所述半導體層的表面上形成由雜質區域構成的有源區域；

形成連接至所述N型柵極、所述P型柵極和所述有源區域的第一金屬布線，形成連接至所述P型柵極和所述N型柵極的第二金屬布線；

形成連接至所述第二金屬布線的散熱部，所述散熱部用于將熱量散發到外部。

12.如權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述通過圖案化所述半導體膜分別形成所述N型柵極和所述P型柵極的步驟與形成所述半導體層上的晶體管的柵極的步驟同時進行。

13.如權利要求11或12所述的半導體裝置的制造方法，其中，在進行所述形成所述有源區域的步驟和在所述半導體層上形成構成有源部件的第二雜質區域的步驟之后，進行形成電連接至所述第二雜質區域的接觸層和形成與所述接觸層是相同層的金屬層的步驟，所述金屬層構成所述第一金屬布線和所述第二金屬布線。