[發(fā)明專利]殼體及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010614540.0
• 申請日: 2010-12-30
• 公開（公告）號: CN102560369A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;張成
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: C23C14/16
• 分類號: C23C14/16;C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種殼體，包括鋁/鎂金屬基體及形成于鋁/鎂金屬基體表面的防腐蝕層，其特征在于：所述防腐蝕層包括依次形成于鋁/鎂金屬基體表面的鋁錳膜和氮化鋁梯度膜，所述氮化鋁梯度膜中N的原子百分含量由靠近鋁/鎂金屬基體至遠(yuǎn)離鋁/鎂金屬基體的方向梯度增加。

2.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于：所述鋁錳膜的厚度為1.0～3.0μm。

3.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于：所述氮化鋁梯度膜的厚度為0.5～1.0μm。

4.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于：所述鋁/鎂金屬基體的材質(zhì)為鋁、鋁合金、鎂或鎂合金。

5.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于：所述殼體還包括形成于所述防腐蝕層上的色彩層，該色彩層為氮化鈦層或氮化鉻層。

6.一種殼體的制造方法，包括以下步驟：

提供鋁/鎂金屬基體；

在該鋁/鎂金屬基體上磁控濺射防腐蝕層，所述防腐蝕層包括依次形成于鋁/鎂金屬基體表面的鋁錳膜和氮化鋁梯度膜，所述氮化鋁梯度膜中N的原子百分含量由靠近鋁/鎂金屬基體至遠(yuǎn)離鋁/鎂金屬基體的方向梯度增加。

7.如權(quán)利要求6所述的殼體的制造方法，其特征在于：磁控濺射所述鋁錳膜的工藝參數(shù)為：以氬氣為工作氣體，其流量為100～300sccm，設(shè)置占空比為30％～80％，于鋁/鎂金屬基體上施加-50～-200V的偏壓，選擇鋁錳合金靶材，所述合金靶中錳的原子百分含量為0.5％～25％，設(shè)置其功率為8～13kw，濺射溫度為100～150℃，濺射時間為10～30min。

8.如權(quán)利要求6所述的殼體的制造方法，其特征在于：磁控濺射所述氮化鋁梯度膜的工藝參數(shù)為：以氬氣為工作氣體，其流量為50～300sccm，以氮氣為反應(yīng)氣體，設(shè)置氮氣的初始流量為10～150sccm，在鋁/鎂金屬基體上施加-100～-400V的偏壓，選擇鋁錳合金靶材，所述鋁錳合金靶中錳的原子百分含量為0.5％～25％，設(shè)置其功率為2～16kw，每沉積10～15min將氮氣的流量增大2～20sccm，沉積時間控制為60～120min。

9.如權(quán)利要求6所述的殼體的制造方法，其特征在于：所述制造方法還包括于所述防腐蝕層上形成色彩層的步驟，形成色彩層的工藝參數(shù)為：開啟一鈦靶或鉻靶的電源，設(shè)置其功率8～10kw，設(shè)置氮氣流量為20～150sccm，濺射時間為20～30min。