[發明專利]RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構及制備方法

無效

• 申請號: 201010614356.6
• 申請日: 2010-12-30
• 公開（公告）號: CN102094179A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 申振峰;高勁松
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: C23C14/48
• 分類號: C23C14/48;C23C14/30;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/18;G02B1/10
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所 22210
• 代理人: 王淑秋

1.一種RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構，其特征在于包括對RB-SiC基底表面Si相成分碳化后得到的SiC相成分(2)，在RB-SiC基底SiC相成分(12)與Si相成分(11)碳化后得到的SiC相成分(2)表面制備的類金剛石膜緩沖層(3)，在類金剛石膜緩沖層(3)上生長的均勻致密的Si改性層(4)。

2.根據權利要求1所述的RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構，其特征在于所述類金剛石膜緩沖層(3)厚度為10～120nm。

3.根據權利要求1或2所述的RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構，其特征在于所述Si改性層(4)厚度為15-25微米。

4.一種如權利要求1所述RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構的制備方法，其特征在于包括下述步驟：

一、鍍膜條件準備：將RB-SiC基底固定于鍍膜機工件夾具上，Si粒盛裝于坩堝中；將鍍膜機的真空室抽真空至1.0×10^-3～2.0×10^-3pa；在200～400℃溫度范圍內烘烤并恒溫30～60分鐘；然后用放置于鍍膜機內的Kaufman離子源充Ar氣對基底進行20～40分鐘離子清洗，Ar氣體積流量為25～35sccm；

二、碳化RB-SiC基底表面Si相成分：調節Kaufman離子源使Ar氣的體積流量減小到8～11sccm，同時將CH₄氣體通入，CH₄氣體體積流量為15～25sccm；調節Kaufman離子源使其屏極電壓在600～700V范圍內，束流達150～170mA，將CH₄電離成活性C離子及H離子，用C離子轟擊基底表面12～18分鐘，使C離子注入基底表面，與基底表面的Si相成分發生反應而轉化成SiC，從而把RB-SiC基底表面的Si相成分碳化成SiC成分；

三、制備類金剛石膜緩沖層：將RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分后，保持Kaufman離子源屏極電壓、束流、Ar氣流量及CH₄氣體流量參數條件不變，繼續同時通入Ar氣和CH₄氣體10～20分鐘，多余的C離子在基底表面SiC成分之上聚集生長得到類金剛石膜緩沖層；

四、制備Si改性層：停止通入CH₄氣體，將Ar氣體積流量調節至25～35sccm，調節Kaufman離子源使其屏極電壓達550～650V，束流90～110mA；在此條件下，用電子束蒸發Si膜料的方法，在類金剛石膜緩沖層上沉積15-25微米厚的Si改性層。

5.根據權利要求4所述RB-SiC基底反射鏡表面改性層結構的制備方法，其特征在于所述步驟一中，真空室抽真空至1.0×10^-3Pa；烘烤溫度為200℃，恒溫30分鐘；在Ar氣體積流量為25sccm的條件下對基底進行20分鐘離子清洗；

所述步驟二中，Ar氣的體積流量為8sccm，CH₄氣體體積流量為15sccm；Kaufman離子源屏極電壓為600V，束流為150mA，用C離子轟擊基底表面12分鐘；

所述步驟三中，Ar氣的體積流量為8sccm，CH₄氣體體積流量為15sccm；Kaufman離子源屏極電壓為600V，束流為150mA，同時通入Ar氣和CH₄氣體10分鐘；

所述步驟四中，Ar氣體積流量為25sccm，Kaufman離子源屏極電壓為550V，束流90mA；在類金剛石膜緩沖層上沉積15微米厚的Si改性層。