[發明專利]計算機硬盤基片拋光后用的清洗劑組合物

有效

• 申請號: 201010613494.2
• 申請日: 2010-12-30
• 公開（公告）號: CN102011128A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 雷紅
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: C23G1/00
• 分類號: C23G1/00
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 顧勇華

技術領域

本發明涉及一種計算機硬盤基片拋光后用的清洗劑組合物，特別是一種用于Ni-P鍍敷的計算機硬盤基片拋光后表面的清洗液組合物，該清洗液組合物可有效降低表面殘留顆粒，并且對硬盤基片表面基本無腐蝕。。屬于計算機硬盤表面清洗處理技術領域。

背景技術

近年來，隨著存儲器硬盤容量、存儲密度的快速上升及垂直存儲技術的出現,?計算機磁頭的飛行高度已降低到7-8?nm以下。?隨著磁頭與磁盤間運行如此的接近,?對磁盤表面的平整性及潔凈度的要求越來越高。如果硬盤表面粗糙度、波紋度過大，在高速旋轉的過程中，磁頭就會與磁盤表面發生碰撞，損壞磁頭或存儲器硬盤表面上的磁介質，從而導致磁盤設備發生故障或讀寫信息的錯誤。同時，存儲器硬盤表面上殘留的微顆粒也會導致磁頭碰撞。

目前，普遍采用化學機械拋光（CMP）技術對硬盤基片表面進行拋光，由于拋光后新鮮表面活性高，以及CMP拋光液中大量使用高濃度的納米磨粒（如納米二氧化硅、納米氧化鋁粒子）、多種化學品等因素，工件表面極易吸附納米顆粒等污染物，導致CMP后清洗極其困難。下一代計算機垂直存儲技術不僅對硬盤基片表面殘留顆粒數要求極高，并且清洗后還不能造成新的損傷與污染物殘留。清洗質量的高低已嚴重影響到計算機硬盤基片的使用性能。

目前集成電路行業，CMP拋光后清洗技術主要為依賴強酸、強堿、強氧化劑等清洗劑的標準RCA清洗方法等，這些清洗劑應用于計算機硬盤基片清洗，因腐蝕性過強、會引起拋光后表面重變粗糙等問題。

發明內容

本發明的目的是提供克服現有硬盤基片化學機械拋光后清洗技術的不足，提供了一種含有ZETA電位調節劑的清洗液組合物，通過提高顆粒、硬盤基片表面ZETA電位，降低顆粒殘留、提高清洗效果，同時該清洗劑具有低的腐蝕性，適合計算機硬盤基片化學機械拋光后表面的超精密清洗液。

本發明一種計算機硬盤基片拋光后用的清洗劑組合物，其特征在于該清洗劑還有ZETA電位調節劑。該清洗劑組合物具有以下的組成成分及其重量百分含量：

????表面活性劑?????????????????????5～15%，

????ZETA電位調節劑?????2～8%，

????緩蝕劑?????????????????????????????0.2～1.5%，

????堿???????????????????0.2～2%，

????去離子水?????????????????????????余量；

所述的表面活性劑為常規水溶性表面活性劑，包括有：十二烷基聚乙二醇、十二烷基聚乙二醇硫酸鹽、十二烷基聚聚乙二醇羧酸鹽、平平加O-20；選擇其中的任一種；

所述的ZETA電位調節劑為含有多個官能團、分子量在3000以上的高分子電解質物質，包括烷基聚氧乙烯醚多季銨鹽、烷基聚氧乙烯醚-磷酸鹽共聚物、聚氧乙烯醚磺酸鹽共聚物、聚氧乙烯醚-丙烯酰胺-磷酸鹽共聚物、聚氧乙烯醚-磷酸-磺酸鹽鹽共聚物；選擇其中的任一種；

所述的緩蝕劑為水溶性有機或無機緩蝕劑，它們為：十二烷基磷酸鹽、羥基苯并三氮唑、巰基噻唑鈉鹽、鉬酸鹽；選擇其中的任一種；

所述的堿為：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水；選擇其中的任一種。

本發明的清洗液組合物特別適用于Ni-P鍍敷的計算機硬盤基片化學機械拋光后表面的清洗過程。

通過所述的清洗液組合物中成分對拋光后硬盤基片表面的作用，可提高顆粒、硬盤基片表面ZETA電位，降低顆粒殘留，同時該清洗劑具有低的腐蝕性，因而提高了表面的平整性和清潔度。適合用作計算機硬盤基片化學機械拋光后表面的超精密清洗液。

附圖說明

圖1為本發明各實施例的檢測結果。清洗前盤片的粗糙度Ra為0.105?nm。

具體實施方式

現將本發明的具體實施例敘述于后。

實施例一：本實施例中，計算機硬盤基片拋光后表面的清洗劑的組成和重量百分含量如下：

????表面活性劑十二烷基聚乙二醇?????????????????????????12%

????ZETA電位調節劑烷基聚氧乙烯醚多季銨鹽?????5.0%

????緩蝕劑巰基噻唑鈉鹽???????????????????????????????????????????????0.6%

????氫氧化鈉???????????????????????????????????????????????????????????????????0.4%