[發明專利]MOS器件的制作方法

無效

• 申請號: 201010612984.0
• 申請日: 2010-12-29
• 公開（公告）號: CN102543743A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 禹國賓;三重野文健
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/285;H01L21/3105
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底的表面形成硬掩模層；

刻蝕所述硬掩模層以及半導體襯底形成第一凹槽，所述第一凹槽的底面低于半導體襯底的表面，兩者之間具有高度差；

在所述第一凹槽底部半導體襯底表面形成柵介質層；

填充所述第一凹槽形成柵電極；

去除所述硬掩模層；

采用熱氧化工藝在半導體襯底表面形成薄膜氧化層；

所述薄膜氧化層的底面高于所述柵介質層的底面，或與之平齊。

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硬掩模層為氮化硅。

3.如權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述硬掩模層采用化學氣相沉積工藝形成，厚度范圍為

4.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蝕所述硬掩模層以及部分半導體襯底形成第一凹槽包括：

在硬掩模層的表面形成光刻膠圖形；

以所述光刻膠圖形為掩模刻蝕所述硬掩模層，直至露出半導體襯底；

繼續刻蝕半導體襯底，刻蝕深度等于所述高度差。

5.如權利要求1或4所述的制作方法，其特征在于，所述高度差為5nm～50nm。

6.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的寬度范圍為

7.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在第一凹槽內形成柵介質層采用熱氧化工藝或化學氣相沉積工藝。

8.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在第一凹槽內形成柵電極包括：采用化學氣相沉積工藝在硬掩模層的表面形成多晶硅層，且所述多晶硅層填滿第一凹槽；

采用化學機械研磨工藝減薄所述多晶硅層，直至露出硬掩模層。

9.如權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述去除硬掩模層采用選擇性濕法刻蝕工藝。

10.如權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述去除硬掩模層采用熱磷酸。

11.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述薄膜氧化層的厚度范圍為5nm～50nm。