[發明專利]基板處理裝置

無效

• 申請號: 201010612966.2
• 申請日: 2010-12-30
• 公開（公告）號: CN102115879A
• 公開（公告）日: 2011-07-06
• 發明（設計）人: 孫亨圭
• 申請（專利權）人: 麗佳達普株式會社
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/505;C23C16/513
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 陳英俊

技術領域

本發明涉及一種在腔室內產生等離子體來執行基板表面處理工序的基板處理裝置。

背景技術

在像大規模集成電路、平板顯示器這樣的電子器件的制造過程中，要執行對基板的真空處理工序。

這樣的真空處理工序是指：導入氣體到腔室內，通過高電壓放電來形成等離子體，通過該等離子體的加速力以物理方式濺射基板表面上的物質的方法；和通過等離子體的活性種以化學方式分解基板表面上的物質的方法。

利用等離子體的基板處理裝置，按照產生等離子體的方法被區分為電容耦合型(Capacitively?Coupled?Plasma：CCP)和電感耦合型(InductivelyCopuled?Plasma：ICP)。

CCP方式是對相互對置的平行平板電極施加RF電力，利用在兩電極之間垂直地形成的RF電場來產生等離子的方式，ICP方式是利用由RF天線感應產生的感應電場將原料物質轉換為等離子體的方式。

利用ICP方式的基板處理裝置的結構是，通常在腔室的內部下側具備搭載基板的下部電極，在腔室或者與該腔室接合的導引架的上部具備施加RF電源的天線，一邊對腔室內供給反應氣體、一邊產生等離子體，由此能夠執行基板的表面處理工序。

在利用這種ICP方式的基板處理裝置中，天線對等離子體的產生以及工序性能產生重要的影響，因此，正在開發螺旋型RF天線、并列型RF天線等多種天線，另外，為了使等離子體的密度變得均勻，正在研究調節天線間距或者改變電介質板的厚度以及形狀的方法等。

但是，以往為了在腔室內部中均勻地產生等離子體，或者是調節天線的間距，或者是改變電介質板的厚度或結構，因此存在整體結構變復雜且工序性能的改善存在限度的問題。

以上說明的背景技術的內容是本申請的發明者為了導出本發明而擁有或者在導出本發明的過程中所獲得的技術信息，不能認為上述內容應當是在申請本發明之前對一般公眾公開的公知技術。

發明內容

本發明是為了解決上述問題而做出的，其目的在于提供一種在腔室外部和內部并列設置天線而使腔室內的等離子體的密度變得均勻，能夠提高工序性能的基板處理裝置。

用于解決上述問題的本發明涉及的基板處理裝置，包括：腔室，可執行基板表面處理；第一天線，在上述腔室的外部，隔著設置于上述腔室的窗口而設置；第二天線，在上述腔室的內部，設置在上述第一天線設置區域的周邊位置。

優選地，上述第一天線位于上述腔室上部的中央部，上述第二天線位于上述腔室上部的、以上述第一天線的設置部位為中心的外側周邊。

優選地，上述第二天線設置于在上述腔室內部具備的電介質層的內部。

優選地，上述電介質層由多個材質層疊而構成，并且，按介電常數從包圍上述第二天線的部分向上述腔室的外側方向逐漸增大的順序層疊。此時，上述電介質層可以從腔室的內側按模壓(molding)層、陶瓷層的順序構成。

也可以是，在與上述第二天線連接的RF導入線和上述第二天線接地的接地線中的至少一個上，設置有電容器。

另外，用于解決上述問題的本發明涉及的基板處理裝置，包括：腔室主體；導引架，與上述腔室主體的上部接合而構成腔室，在上部中央具有空腔結構的第一設置部；第一天線，設置在上述導引架的第一設置部的內側；窗口，設置在上述導引架的第一設置部，分隔上述腔室的內側和上述第一天線，使得上述第一天線位于上述腔室的外側；以及第二天線，在上述導引架的內側設置在上述第一設置部的周邊位置。

優選地，上述導引架在上述第一設置部的外側周邊具備具有凹槽結構的第二設置部，以便能夠設置上述第二天線。

也可以是，在上述導引架上設有分隔上述第一設置部和上述第二設置部的分隔部件。

也可以是，在上述導引架的上部具備：插座部，在上述腔室的外側可與上述第二天線連接；以及連接器部，與該插座部接合。

也可以是，在上述第二設置部設有電介質層；在上述電介質層內設有上述第二天線。

也可以是，在上述第一設置部和上述第二設置部之間設有配置成環形結構且噴射工藝氣體的噴頭。

此時，可以是，上述噴頭具有下側方向的噴射口和沿上述導引架的中心方向即水平方向的噴射口。

與此不同，也可以是，上述第一設置部的中心部構成工藝氣體導入部，還具備在上述導引架的上述第一設置部以及上述第二設置部的整個下部區域噴射工藝氣體的噴頭。