[發明專利]基板處理裝置無效
| 申請號: | 201010612966.2 | 申請日: | 2010-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN102115879A | 公開(公告)日: | 2011-07-06 |
| 發明(設計)人: | 孫亨圭 | 申請(專利權)人: | 麗佳達普株式會社 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/505;C23C16/513 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,包括:
腔室,可執行基板表面處理;
第一天線,在上述腔室的外部,隔著設置于上述腔室的窗口而設置;
第二天線,在上述腔室的內部,設置在上述第一天線設置區域的周邊位置。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述第一天線位于上述腔室上部的中央部,
上述第二天線位于上述腔室上部的、以上述第一天線的設置部位為中心的外側周邊。
3.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述第二天線設置于在上述腔室內部具備的電介質層的內部。
4.如權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述電介質層由多個材質層疊而構成,并且,按介電常數從包圍上述第二天線的部分向上述腔室的外側方向逐漸增大的順序層疊。
5.如權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述電介質層從上述腔室的內側按模壓層、陶瓷層的順序構成。
6.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
在與上述第二天線連接的RF導入線和上述第二天線接地的接地線中的至少一個上,設置有電容器。
7.一種基板處理裝置,其特征在于,包括:
腔室主體;
導引架,與上述腔室主體的上部接合而構成腔室,在上部中央具有空腔結構的第一設置部,
第一天線,設置在上述導引架的第一設置部的內側;
窗口,設置在上述導引架的第一設置部,分隔上述腔室的內側和上述第一天線,使得上述第一天線位于上述腔室的外側;以及
第二天線,在上述導引架的內側設置在上述第一設置部的周邊位置。
8.如權利要求7所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述導引架在上述第一設置部的外側周邊具備具有凹槽結構的第二設置部,以便能夠設置上述第二天線。
9.如權利要求8所述的基板處理裝置,其特征在于,
在上述導引架上設有分隔上述第一設置部和上述第二設置部的分隔部件。
10.如權利要求8所述的基板處理裝置,其特征在于,
在上述導引架的上部具備:插座部,在上述腔室的外側可與上述第二天線連接;以及連接器部,與該插座部接合。
11.如權利要求8所述的基板處理裝置,其特征在于,
在上述第二設置部設有電介質層;
在上述電介質層內設有上述第二天線。
12.如權利要求8所述的基板處理裝置,其特征在于,
在上述第一設置部和上述第二設置部之間設有配置成環形結構且噴射工藝氣體的噴頭。
13.如權利要求12所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述噴頭具有下側方向的噴射口和沿上述導引架的中心方向即水平方向的噴射口。
14.如權利要求12所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述第一設置部的中心部構成工藝氣體導入部,
還具備在上述導引架的上述第一設置部以及上述第二設置部的整個下部區域噴射工藝氣體的噴頭。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





