[發明專利]用于顯示設備的陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201010612964.3
• 申請日: 2010-12-17
• 公開（公告）號: CN102315228A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 鄭在紋;崔文鎬
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L21/336
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

本發明要求2010年7月9日在韓國提交的韓國專利申請10-2010-0066077的權益，在此通過參考將其并入本文，就如在此全部闡述一樣。

技術領域

本發明涉及一種用于顯示設備的陣列基板，更特別地，涉及一種用于顯示設備的陣列基板及其制造方法。

背景技術

直到近期，顯示設備通常使用陰極射線管(CRT)。目前，正在進行很多努力和研究來開發各種類型的平板顯示器作為CRT的替代產品，諸如液晶顯示(LCD)設備，等離子體面板(PDP)，場發射顯示器和電致發光顯示器(ELD)。這些平板顯示器當中，廣泛使用有源矩陣型顯示設備。

在有源矩陣型顯示設備中，通過相互交叉的柵線和數據線限定的像素區域排列成矩陣型，在每個像素區域中形成諸如薄膜晶體管的開關元件和像素電極，通過開關元件對提供給像素區域的數據信號進行控制。

有源矩陣型顯示設備包括陣列基板，在陣列基板上形成柵線、數據線、開關元件和像素電極。

圖1是示出根據現有技術的用于顯示設備的陣列基板的平面圖。

參考圖1，柵線20和數據線30在基板10上相互交叉以限定像素區域P，薄膜晶體管T連接到柵線20和數據線30。

薄膜晶體管T包括柵極22、有源層26以及源極32和漏極34。柵極22連接到柵線20，源極32連接到數據線30，漏極34與源極32分隔開。

像素電極40形成在像素區域P中并經由漏極接觸孔38連接到漏極34。

在源極32和漏極34之間的分隔區域SR具有U型形狀。有源層26通過分隔區域SR暴露，通過分隔區域SR暴露的部分有源層26用作薄膜晶體管T的溝道。

圖2和3分別是沿著圖1的線II-II和III-III取得的截面圖。

參考圖2和3，在基板10上形成柵線20和連接到柵線20的柵極22。在柵線20和柵極22上形成柵絕緣層24。

在與柵極22對應的柵絕緣層24上形成由本征硅制成的有源層26，在有源層26上形成由摻雜硅制成的歐姆接觸層28。

在歐姆接觸層28上形成數據線30、源極32和漏極34。在數據線30、源極32和漏極34上形成鈍化層36。在鈍化層36上形成像素電極40。

鈍化層36包括暴露出漏極34的漏極接觸孔38，像素電極40經由漏極接觸孔38連接到漏極34。

為了降低制造工藝數目和生產成本，在光刻工藝中使用一個光掩模形成有源層26、歐姆接觸層28、源極32、漏極34以及數據線30，這將參考以下附圖進一步說明。

圖4A是示出用于形成現有技術顯示設備的陣列基板的有源層、源極和漏極的光掩模的圖，圖4B是示出用于形成現有技術顯示設備的陣列基板的有源層、源極和漏極的光致抗蝕劑圖案的圖，圖4C是示出現有技術顯示設備的陣列基板的有源層、源極和漏極的圖。

為了形成有源層26、歐姆接觸層28、源極32、漏極34和數據線30，在柵絕緣層24上順序形成本征硅層(未示出)、摻雜硅層(未示出)、金屬層(未示出)，之后在金屬層上形成光致抗蝕劑層(未示出)，之后將光掩模M置于光致抗蝕劑層上方以曝光該光致抗蝕劑層，之后顯影被曝光的光致抗蝕劑層。

參考圖4A，光掩模M包括具有最低透光度的阻擋部分BA、具有高于阻擋部分BA的透光度的半透光部分HTA和具有最高透光度的透光部分TA。阻擋部分BA對應于數據線30、源極32和漏極34，半透光部分HTA對應于源極32和漏極34之間的分隔區域SR，透光部分TA對應于除數據線30、源極32、漏極34以及分隔區域SR之外的區域。

參考圖4B，通過顯影經曝光的光致抗蝕劑層，形成光致抗蝕劑圖案60。

光致抗蝕劑圖案60包括與阻擋部分BA對應的第一光致抗蝕劑圖案60a，和與半透光部分HTA對應的第二光致抗蝕劑圖案60b。由于阻擋部分BA的透光度低于半透光部分HTA的透光度，因此第一光致抗蝕劑圖案60a的厚度大于第二光致抗蝕劑圖案60b的厚度。

之后，使用第一光致抗蝕劑圖案60a和第二光致抗蝕劑圖案60b作為蝕刻掩模順序蝕刻金屬層、摻雜硅層和本征硅層，以形成數據線30和源漏極圖案(未示出)。

源漏極圖案是對應于源極32、漏極34以及分隔區域SR的圖案。

通過蝕刻工藝，在數據線30和源漏極圖案下方形成摻雜硅圖案和有源層26。

之后，通過灰化工藝，部分去除第一光致抗蝕劑圖案60a，完全去除第二光致抗蝕劑圖案60b。因此暴露出與分隔區域SR對應的源漏極圖案。