[發(fā)明專利]用于顯示設(shè)備的陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010612964.3
• 申請日: 2010-12-17
• 公開（公告）號: CN102315228A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭在紋;崔文鎬
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L21/336
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種用于顯示設(shè)備的陣列基板，包括

基板；

在所述基板上相互交叉以限定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線；

連接到所述柵線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括柵極、在所述柵極上的柵絕緣層、在所述柵絕緣層上的有源層、在所述有源層上的歐姆接觸層和在所述歐姆接觸層上的源極和漏極；和

連接到所述漏極的像素電極，

其中所述源極和漏極相互分隔開以限定分隔區(qū)域，

其中所述分隔區(qū)域包括在不同方向上的第一至第三區(qū)域，和

其中在所述第一至第三區(qū)域的至少一個中去除所述有源層以暴露出所述柵絕緣層。

2.如權(quán)利要求1的陣列基板，其中在所述第一至第三區(qū)域中的其余區(qū)域中留下的有源層經(jīng)由所述第一至第三區(qū)域的所述其余區(qū)域暴露出并用作所述薄膜晶體管的溝道。

3.如權(quán)利要求1的陣列基板，其中所述薄膜晶體管的所述溝道在一個方向上形成。

4.如權(quán)利要求1的陣列基板，其中所述分隔區(qū)域具有U型形狀，所述第一區(qū)域?qū)?yīng)于U型分隔區(qū)域的直線部分，所述第三區(qū)域?qū)?yīng)于U型分隔區(qū)域的底部部分，所述第二區(qū)域?qū)?yīng)于U型分隔區(qū)域的所述直線部分和底部部分之間的拐角部分。

5.如權(quán)利要求4的陣列基板，其中所述有源層是在所述分隔區(qū)域的第三區(qū)域中被去除的。

6.如權(quán)利要求4的陣列基板，其中所述有源層是在所述分隔區(qū)域的第二區(qū)域和第三區(qū)域中被去除的。

7.如權(quán)利要求4的陣列基板，其中所述分隔區(qū)域的第一區(qū)域與所述柵線平行，所述分隔區(qū)域的第二區(qū)域關(guān)于所述柵線以45度或-45度角傾斜，所述第三區(qū)域垂直于所述柵線。

8.如權(quán)利要求4的陣列基板，其中所述分隔區(qū)域的第一區(qū)域關(guān)于所述柵線以45度角傾斜，所述分隔區(qū)域的第二區(qū)域與所述柵線平行或垂直，所述第三區(qū)域關(guān)于所述柵線以135度角傾斜。

9.如權(quán)利要求4的陣列基板，其中所述分隔區(qū)域的第一區(qū)域垂直于所述柵線，所述分隔區(qū)域的第二區(qū)域關(guān)于所述柵線以45度或135度角傾斜，所述第三區(qū)域與所述柵線平行。

10.一種制造用于顯示設(shè)備的陣列基板的方法，該方法包括：

在基板上形成柵線和與所述柵線連接的柵極；

在所述柵線和柵極上形成柵絕緣層；

使用包括透光部分、半透光部分和阻擋部分的光掩模在所述柵絕緣層上形成有源層、歐姆接觸層、源極和漏極；

在所述源極和漏極上形成鈍化層；和

在所述鈍化層上形成與所述漏極連接的像素電極，

其中所述源極和漏極相互分隔開以限定分隔區(qū)域，

其中所述分隔區(qū)域包括不同方向上的第一至第三區(qū)域，和

其中在所述第一至第三區(qū)域的至少一個中去除所述有源層以暴露出所述柵絕緣層。

11.如權(quán)利要求10的方法，其中在所述第一至第三區(qū)域中的其余區(qū)域中留下的有源層經(jīng)由所述第一至第三區(qū)域中的所述其余區(qū)域暴露出并用作所述薄膜晶體管的溝道。

12.如權(quán)利要求11的方法，其中在所述第一至第三區(qū)域的至少一個中去除的有源層在光掩模工藝中對應(yīng)于透光部分，在所述第一至第三區(qū)域中的其余區(qū)域中留下的有源層在光掩模工藝中對應(yīng)于半透光部分。

13.如權(quán)利要求10的方法，其中所述薄膜晶體管的溝道在一個方向上形成。

14.如權(quán)利要求10的方法，其中所述分隔區(qū)域具有U型形狀，所述第一區(qū)域?qū)?yīng)于U型分隔區(qū)域的直線部分，所述第三區(qū)域?qū)?yīng)于U型分隔區(qū)域的底部部分，所述第二區(qū)域?qū)?yīng)于U型分隔區(qū)域的所述直線部分和底部部分之間的拐角部分。

15.如權(quán)利要求14的方法，其中所述有源層是在所述分隔區(qū)域的第三區(qū)域中被去除的。

16.如權(quán)利要求14的方法，其中所述有源層是在所述分隔區(qū)域的第二區(qū)域和第三區(qū)域中被去除的。

17.如權(quán)利要求14的方法，其中所述分隔區(qū)域的第一區(qū)域平行于所述柵線，所述分隔區(qū)域的第二區(qū)域關(guān)于所述柵線以45度或-45度角傾斜，所述第三區(qū)域垂直于所述柵線。