[發明專利]電動車輛的絕緣電阻量測裝置

無效

• 申請號: 201010611349.0
• 申請日: 2010-12-29
• 公開（公告）號: CN102539918A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 涂家政;許家興
• 申請（專利權）人: 財團法人車輛研究測試中心
• 主分類號: G01R27/02
• 分類號: G01R27/02
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本發明涉及一種用于電動車輛的量測裝置，特別涉及一種電動車輛的絕緣電阻量測裝置。

背景技術

如圖1所示，一般電動車輛90通常包含一個高電壓系統91及一個低電壓系統92，該高電壓系統91主要是為了驅動一個馬達911而采用高電壓電源VB供電，該低電壓系統92主要是為了提供一般低電壓運作的電子電路用電，該低電壓系統92的一接地端921會與該電動車輛90的一個車身93電連接形成一個接地系統(ground?system)，該高電壓系統91不會與該車身93相連，所以該高電壓系統91會與該低電壓系統92形成隔絕狀態。

該電動車輛90組裝完成后，該高電壓系統91的一個最高電位端912會與該車身93之間能視為具有一個高電位絕緣電阻Ra，且一個最低電位端913會與該車身93之間能視為具有一個低電位絕緣電阻Rb，該高電位絕緣電阻Ra與該低電位絕緣電阻Rb的電阻值與使用安全性息息相關，如果電阻值不足則表示容易漏電，該高電壓系統91與該低電壓系統92的運作也會不穩定且容易損壞。

所以為了保障系統運作的穩定性及安全性，必須對該高電位絕緣電阻Ra與該低電位絕緣電阻Rb進行量測，美國專利第7592815號即揭露一種電動車輛的漏電偵測電路，然而從該專利的圖3可以看出需要四個電阻21、22、31、32、兩個開關元件11、12，及一個反相器13才能組成一個量測單元，該專利的電路復雜度及制造成本都較高，且只能運算得到一個總漏電阻抗R1，無法經過運算分別得到該高電位絕緣電阻Ra與該低電位絕緣電阻Rb。

由此可見，上述現有的電動車輛的漏電偵測電路在結構與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發展完成，而一般產品又沒有適切結構能夠解決上述問題，此顯然是相關業者急欲解決的問題。因此如何能創設一種新型結構的電動車輛的絕緣電阻量測裝置，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前業界極需改進的目標。

發明內容

本發明的目的在于，克服現有的電動車輛的漏電偵測電路存在的缺陷，而提供一種新型結構的電動車輛的絕緣電阻量測裝置，所要解決的技術問題是使其電路復雜度低以及制造成本較低，非常適于實用。

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種電動車輛的絕緣電阻量測裝置，該電動車輛包含一個高電壓系統，及一個低電壓系統，該高電壓系統的一個最高電位端相對于該低電壓系統的一個接地端之間能視為具有一個高電位絕緣電阻，該高電壓系統的一個最低電位端相對于該低電壓系統的接地端之間能視為具有一個低電位絕緣電阻，該絕緣電阻量測裝置包含一個量測單元、一個電壓偵測單元，及一個控制單元；該量測單元包括一個第一電位接頭、一個第二電位接頭、一個開關元件，及一個量測電阻，該第一電位接頭用于電連接該高電壓系統的該最高電位端，該第二電位接頭用于電連接該低電壓系統的該接地端，該開關元件與該電阻是串聯于該第一電位接頭與該第二電位接頭之間；該電壓偵測單元用于偵測該第一電位接頭與該第二電位接頭之間所形成的電壓；該控制單元包括一個控制模塊，該控制模塊能控制該開關元件截止或導通，該控制模塊內建有該最高電位端的一個最高電壓值、該量測電阻的電阻值、一個第一函數，及一個第二函數，其中：當該開關元件截止時，該控制模塊經由該電壓偵測單元取得一個與該第一電位接頭及該第二電位接頭之間有關的第一電壓值；當該開關元件導通時，該控制模塊經由該電壓偵測單元取得一個與該第一電位接頭及該第二電位接頭之間有關的第二電壓值；當該控制模塊取得該第一電壓值與該第二電壓值時，該控制模塊能使用該量測電阻值乘以一個第一函數得到該高電位絕緣電阻，并使用該量測電阻值乘以一個第二函數得到該低電位絕緣電阻，該第一函數與該第二函數都是該最高電壓值、該第一電壓值，以及該第二電壓值的函數。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

較佳地，前述的電動車輛的絕緣電阻量測裝置，該控制單元還包括一個提示模塊，該控制模塊還內建有一個第一安全值及一個第二安全值，當該高電位絕緣電阻低于該第一安全值或該低電位絕緣電阻低于該第二安全值時，該控制模塊會經由該提示模塊輸出一提示信號。

前述的電動車輛的絕緣電阻量測裝置，該控制單元還包括一個儲存模塊，該控制模塊運算出的該高電位絕緣電阻及該低電位絕緣電阻是記錄在該儲存模塊中。