[發(fā)明專(zhuān)利]芯片線路扇出方法及薄膜芯片裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010610383.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102315137A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蕭兆志;李柏青 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 聯(lián)詠科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/60 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/60;H01L21/50;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京市浩天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 11276 | 代理人: | 劉云貴 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 線路 方法 薄膜 裝置 | ||
1.一種芯片線路扇出方法,包含:
在一薄膜上安裝一芯片;
在該薄膜上形成多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn),其中該多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn)根據(jù)一突塊對(duì)應(yīng)順序來(lái)排列;
在該芯片上形成多個(gè)連外突塊,其中該多個(gè)連外突塊根據(jù)一突塊排列順序來(lái)排列;以及
形成多條連外線路,以將該多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn)依據(jù)該突塊對(duì)應(yīng)順序來(lái)連接至該多個(gè)連外突塊,
其特征在于,該突塊對(duì)應(yīng)順序不同于該突塊排列順序,且該多條連外線路不交錯(cuò)。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片線路扇出方法,其特征在于,進(jìn)一步包括在該芯片上形成一個(gè)或多個(gè)虛擬連外突塊,以及形成該多條連外線路的步驟包括使該多條線路當(dāng)中的一條或多條通過(guò)該一個(gè)或多個(gè)虛擬連外突塊。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片線路扇出方法,其特征在于,該多條連外線路當(dāng)中的至少一條先往芯片內(nèi)部的方向延伸再往芯片外部的方向延伸。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片線路扇出方法,其特征在于,該多條連外線路當(dāng)中的至少一條繞經(jīng)該芯片的底部、頂部、與周?chē)?dāng)中的至少一個(gè)。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片線路扇出方法,其特征在于,該多條連外線路當(dāng)中的每一條在該薄膜上的折角均大于一門(mén)限角度。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片線路扇出方法,其特征在于,該多個(gè)連外突塊當(dāng)中的每一個(gè)是一電源連外突塊、一輸出信號(hào)連外突塊與一輸入信號(hào)連外突塊之一。
7.如權(quán)利要求1所述的芯片線路扇出方法,其特征在于,該多個(gè)連外突塊當(dāng)中接近該芯片的第一側(cè)上的至少一個(gè)連接至該多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn)當(dāng)中接近該芯片的第二側(cè)上的至少一個(gè)。
8.如權(quán)利要求1所述的芯片線路扇出方法,其特征在于,該多個(gè)連外突塊當(dāng)中接近該芯片的第一側(cè)上的至少一個(gè)連接至該多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn)當(dāng)中接近該芯片的第一側(cè)上且在空間排列上不相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)。
9.一種薄膜芯片裝置,包含:
一薄膜,包含多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn),該多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn)根據(jù)一突塊對(duì)應(yīng)順序來(lái)排列;
一芯片,包含多個(gè)連外突塊,該多個(gè)連外突塊根據(jù)一突塊排列順序來(lái)排列;以及
多條連外線路,用來(lái)將該多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn)依據(jù)該突塊對(duì)應(yīng)順序來(lái)連接至該多個(gè)連外突塊,
其特征在于,該突塊對(duì)應(yīng)順序不同于該突塊排列順序,且該多條連外線路不交錯(cuò)。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜芯片裝置,其特征在于,該芯片進(jìn)一步包括一個(gè)或多個(gè)虛擬連外突塊,以及該多條線路當(dāng)中的一條或多條通過(guò)該一個(gè)至多個(gè)虛擬連外突塊。
11.如權(quán)利要求9所述的薄膜芯片裝置,其特征在于,該多條連外線路當(dāng)中的至少一條先往芯片內(nèi)部的方向延伸再往芯片外部的方向延伸。
12.如權(quán)利要求9所述的薄膜芯片裝置,其特征在于,該多條連外線路中當(dāng)中的至少一條繞經(jīng)該芯片的底部、頂部與周?chē)弧?/p>
13.如權(quán)利要求9所述的薄膜芯片裝置,其特征在于,該多條連外線路當(dāng)中的每一條在該薄膜上的折角均大于一門(mén)限角度。
14.如權(quán)利要求9所述的薄膜芯片裝置,其特征在于,該多個(gè)連外突塊當(dāng)中的每一個(gè)是一電源連外突塊、一輸出信號(hào)連外突塊與一輸入信號(hào)連外突塊之一。
15.如權(quán)利要求9所述的薄膜芯片裝置,其特征在于,該多個(gè)連外突塊當(dāng)中接近該芯片的第一側(cè)上的至少一個(gè)連接至該多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn)當(dāng)中接近該芯片的第二側(cè)上的至少一個(gè)。
16.如權(quán)利要求9所述的薄膜芯片裝置,其特征在于,該多個(gè)連外突塊當(dāng)中接近該芯片的第一側(cè)上的至少一個(gè)連接至該多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn)當(dāng)中接近該芯片的第一側(cè)上且在空間排列上不相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)。
17.一種芯片線路扇出方法,包含:
在一薄膜上安裝一芯片;
在該薄膜上形成多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn);
在該芯片上形成多個(gè)連外突塊;以及
形成多條連外線路,以將該多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn)分別連接至該多個(gè)連外突塊,其特征在于,該多條連外線路當(dāng)中的至少一條將該多個(gè)連外突塊當(dāng)中的至少一個(gè)連接至該多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn)當(dāng)中在空間上排列不相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)。
18.一種薄膜芯片裝置,包含:
一薄膜,包含多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn);
一芯片,包含多個(gè)連外突塊;以及
多條連外線路,分別連接于該多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn)與該多個(gè)連外突塊之間,
其特征在于,該多個(gè)連外突塊當(dāng)中的至少一個(gè)被連接至該多個(gè)外引腳結(jié)合點(diǎn)當(dāng)中在空間上排列不相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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