[發(fā)明專利]采用冶金鍵合方法制造玻封二極管的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010610251.3 | 申請日： | 2010-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN102129986A | 公開（公告）日： | 2011-07-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李志福 | 申請（專利權）人： | 朝陽無線電元件有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 蔣常雪 |
| 地址： | 122000 *** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 采用 冶金 方法 制造 二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種采用冶金鍵合方法制造玻封二極管的方法，其特征在于：所述二極管內引線與二極管芯片采用冶金鍵合方法實現(xiàn)芯片與外引線的電信號連接。
2.如權利要求1所述的采用冶金鍵合方法制造玻封二極管的方法，其特征在于，包括下列步驟：
1）、制備合金焊片：厚度50微米，直徑φ略小于玻殼內徑；
2）、制備芯片版圖：芯片直徑等于0.8倍的玻殼內徑；
3）、按照常規(guī)工藝進行玻封，玻封溫度600℃，玻封溫升過程中增加一個短時間冶金鍵合溫度脈沖，冶金鍵合溫度650℃，時間?5min，使內引線與二極管芯片通過冶金鍵合方法實現(xiàn)連接，最后形成玻封二極管。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
