[發(fā)明專利]采用冶金鍵合方法制造玻封二極管的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010610251.3 | 申請日: | 2010-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN102129986A | 公開(公告)日: | 2011-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李志福 | 申請(專利權(quán))人: | 朝陽無線電元件有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L21/329 | 分類號: | H01L21/329;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京鼎佳達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 蔣常雪 |
| 地址: | 122000 *** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 采用 冶金 方法 制造 二極管 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種采用冶金鍵合工藝制造玻封二極管的方法,屬于半導(dǎo)體器件加工技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
二極管的主要特性是單向?qū)щ娦裕簿褪窃谡螂妷旱淖饔孟拢瑢?dǎo)通電阻很小;而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或較小。正因?yàn)槎O管具有上述特性,電路中常把它用于整流和穩(wěn)壓。
穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)就是加反向電壓擊穿后,其兩端的電壓基本保持不變。而整流二極管反向擊穿后就損壞了。這樣,當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后,若由于電源電壓發(fā)生波動,?或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動時,負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。
整流二極管和穩(wěn)壓二極管都是PN半導(dǎo)體器件,所不同的是整流二極管用的是單向?qū)щ娦裕€(wěn)壓二極管是利用了其反向特性,在電路中反向聯(lián)接。
現(xiàn)有玻封二極管封裝普遍采用壓接工藝完成外引線與芯片電極的連接。這種壓接工藝的缺點(diǎn)是芯片的電極引出存在一定隱患,嚴(yán)重情況會出現(xiàn)開路現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題就在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種采用冶金鍵合方法制造玻封二極管的方法,它實(shí)現(xiàn)了內(nèi)引線與芯片電極的冶金鍵合,從而實(shí)現(xiàn)芯片與外引線的穩(wěn)定可靠連接。本發(fā)明所生產(chǎn)的玻封二極管可靠性高,可以應(yīng)用到各種惡劣環(huán)境條件下,不存在開路失效問題。
為解決上述問題,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
本發(fā)明提供了一種采用冶金鍵合方法制造玻封二極管的方法,所述二極管內(nèi)引線與二極管芯片采用冶金鍵合方法實(shí)現(xiàn)芯片與外引線的電信號連接。
具體包括下列步驟:
1)、制備合金焊片:厚度50微米,直徑φ略小于玻殼內(nèi)徑;
2)、制備芯片版圖:芯片直徑等于0.8倍的玻殼內(nèi)徑;
3)、按照常規(guī)工藝進(jìn)行玻封,玻封溫度600℃,玻封溫升過程中增加一個短時間冶金鍵合溫度脈沖,冶金鍵合溫度650℃,時間?5min,使內(nèi)引線與二極管芯片通過冶金鍵合方法實(shí)現(xiàn)連接,最后形成玻封二極管。
本發(fā)明與已有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn):
1、本發(fā)明所生產(chǎn)的玻封二極管可靠性高,可以應(yīng)用到各種惡劣環(huán)境條件下,不存在開路失效模式。
2、本發(fā)明所生產(chǎn)的玻封二極管抗電流沖擊能力大,同比普通工藝產(chǎn)品提高電流沖擊強(qiáng)度20%。
3、本發(fā)明所生產(chǎn)的玻封二極管封裝成品率高,相比普通工藝提高2個百分點(diǎn)。
4、本發(fā)明所生產(chǎn)的玻封二極管芯片工藝穩(wěn)定性高、重復(fù)性好,具有良好連接可靠性。
具體實(shí)施方式
在本發(fā)明中玻封二極管芯片基體材料選硅外延圓片(N型),電阻率ρ=0.6Ω.cm?<111>,首先制成玻封二極管芯片,芯片尺寸:0.5mm×0.5mm
選用內(nèi)徑φ0.76mm的DO-35型玻殼,
焊片選用φ0.7mm,厚度0.05mm
按照常規(guī)工藝封裝,玻封溫度600℃,冶金鍵合溫度650℃?時間?5min。
按照工藝進(jìn)行玻封穩(wěn)壓管ZW60,擊穿電壓VB=11.5-12V,全部曲線為硬擊穿V?。
采用本實(shí)施例中的工藝加工制造成的玻封二極管芯片具有良好連接可靠性。
本發(fā)明對材料的要求不高,能夠?qū)崿F(xiàn)所有玻封二極管的冶金鍵合封裝。在本發(fā)明中采用的原材料均為市場所購,使用的設(shè)備均為常規(guī)設(shè)備。
最后應(yīng)說明的是:顯然,上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例,而并非對實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





