[發明專利]半導體裝置、芯片及修改比特數據的方法

有效

• 申請號: 201010609607.1
• 申請日: 2010-12-28
• 公開（公告）號: CN102543190A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 王小樂
• 申請（專利權）人: 炬力集成電路設計有限公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C16/06
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種半導體裝置，其特征在于，該裝置具有能夠實現兩個節點之間多次切換連接與斷開狀態的結構，通過在兩個節點之間多次切換連接與斷開的狀態，實現更改連接狀態所需要更改的版圖層的數目最小。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置包括N列金屬層，每一列包括M層金屬層，N和M為不小于2的整數；

同一列中的金屬層通過連接層連接；

通過連接相鄰列之間的同層金屬層，來實現兩個節點之間連接狀態的更改。

3.如權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述同一列中的金屬層之間的連接層，采用交錯連接方式。

4.如權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述不同列的相鄰層的金屬層之間設置成交疊形式。

5.一種包括版本號的芯片，其特征在于，具有能夠實現兩個節點之間多次切換連接與斷開狀態的結構，通過在兩個節點之間多次切換連接與斷開的狀態，實現更改連接狀態所需要更改的版圖層的數目最小。

6.一種記錄比特數據的芯片，其特征在于，該芯片包括：

N列金屬層，每一列包括M層金屬層，N和M為不小于2的整數；

用于記錄所述比特數據的NMOS管的位線，固化在N列金屬層中邊緣列的底層或頂層金屬層中，所述NMOS管的漏端固化在另一邊緣列的底層或頂層金屬層中；

N列M層金屬層中存在K1對位于同一層并且處于連接狀態的兩個相鄰的金屬層，K1為大于0并且不大于(N-1)*M的整數；N列M層金屬層中存在L對位于同一列并且其間設置有連接層的兩個相鄰的金屬層，使得所述位線與所述漏端之間存在通路；或者，

N列M層金屬層中存在K2對位于同一層并且處于連接狀態的兩個相鄰的金屬層，K2為不小于0并且小于(N-1)*M的整數；N列M層金屬層中存在L對位于同一列并且其間設置有連接層的兩個相鄰的金屬層，使得所述位線與所述漏端之間不存在通路，L為不小于0并且不大于(M-1)*N的整數。

7.如權利要求6所述的芯片，其特征在于，在N列金屬層中存在滿足以下條件并且相鄰的第S列金屬層和第T列金屬層：

第S列金屬層中的第i層金屬層，與第T列金屬層中的第i-1層和第i+1層金屬層存在相互重疊的部分，該相互重疊的部分之間設置有或未設置有連接層；其中i在大于0并且小于M的偶數中取值；

第S列金屬層中的第M層金屬層，與第T列金屬層中的第M-1層金屬層存在相互重疊的部分，該相互重疊的部分之間設置有或未設置有連接層。

8.如權利要求6所述的芯片，其特征在于，在N為3，M為6，并且所述位線固化在第一列的底層金屬層中，所述漏端固化在最后一列的底層金屬層中時：

處于同一列并且相鄰的金屬層之間均設置有連接層；

最后一列的頂層金屬層與中間一列的頂層金屬層處于連接狀態，其他處于同一層并且相鄰的金屬層處于斷開狀態，所述位線與所述漏端之間不存在通路。

9.如權利要求7所述的芯片，其特征在于，在N為3，M為6，并且所述位線固化在第一列的底層金屬層中，所述漏端固化在最后一列的底層金屬層中時：

處于同一列并且相鄰的金屬層之間均設置有連接層；

第S列金屬層中的第i層金屬層與第T列金屬層中的第i-1層金屬層的相互重疊的部分之間未設置有連接層；第S列金屬層中的第i層金屬層與第T列金屬層中的第i+1層金屬層的相互重疊的部分之間未設置有連接層；第S列金屬層中的第M層金屬層與第T列金屬層中的第M-1層金屬層的相互重疊的部分之間未設置有連接層；S的取值為1，T的取值為2；

最后一列的頂層金屬層與中間一列的頂層金屬層處于連接狀態，其他處于同一層并且相鄰的金屬層處于斷開狀態，所述位線與所述漏端之間不存在通路。