[發明專利]P型高濃度摻雜硅及BCD產品P溝道MOS管制作工藝

有效

• 申請號: 201010608139.6
• 申請日: 2010-12-16
• 公開（公告）號: CN102569084A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 潘光燃
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265;H01L21/20
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種P型高濃度摻雜硅的工藝實現方法，其特征在于，包括：

低壓淀積氧化硅介質層；

對襯底進行光刻，定義注入區域；

在定義的注入區域內，注入硼離子；

對注入的硼離子進行高溫退火。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述低壓淀積氧化硅介質層的厚度為20～60納米。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硼離子的注入劑量為1×10¹⁵～3×10¹⁵原子/平方厘米。

4.如權利要求1或3所述的方法，其特征在于，當所述硼離子注入到硅表層20～60納米深時，注入能量為25～35千電子伏。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述高溫退火在800～1000攝氏度下進行。

6.一種BCD產品中的P溝道MOS管的制作工藝，其特征在于，包括：

對襯底進行光刻，定義注入區域，注入磷離子并擴散制作N型低濃度摻雜區；

低壓淀積氮化硅介質層；

對襯底進行光刻，定義刻蝕區域，采用等離子體刻蝕氮化硅；

生長二氧化硅場區氧化層，剝離氮化硅；

高溫氧化生成柵氧化層；

低壓淀積多晶硅層；

對襯底進行光刻，定義刻蝕區域，采用等離子體刻蝕多晶硅層；

對襯底進行光刻，定義注入區域，注入磷離子或砷離子并進行高溫退火制作N型高濃度摻雜區；

低壓淀積氧化硅介質層；

對襯底進行光刻，定義注入區域，在定義的注入區域內，注入硼離子，對注入的硼離子進行高溫退火制作P型高濃度摻雜區。

7.如權利要求6所述的BCD產品中的P溝道MOS管制作工藝，其特征在于，當制作特征尺寸小于或等于1.0微米的BCD產品時，在刻蝕多晶硅層后，制作N型高濃度摻雜區之前，所述制作工藝還包括：

低壓淀積氧化硅介質層，采用等離子體進行回刻制作側墻。

8.如權利要求6所述的BCD產品中的P溝道MOS管制作工藝，其特征在于，在制作所述N型高濃度摻雜區之后，所述低壓淀積氧化硅介質層的厚度為20～60納米。

9.如權利要求6所述的BCD產品中的P溝道MOS管制作工藝，其特征在于，在制作所述P型高濃度摻雜區時，所述硼離子的注入劑量為1×10¹⁵～3×10¹⁵原子/平方厘米。

10.如權利要求6所述的BCD產品中的P溝道MOS管制作工藝，其特征在于，在制作所述P型高濃度摻雜區時，當所述硼離子注入到硅表層20～60納米深時，注入能量為25～35千電子伏。

11.如權利要求6所述的BCD產品中的P溝道MOS管制作工藝，其特征在于，在制作所述P型高濃度摻雜區時，高溫退火在800～1000攝氏度的溫度下進行。