[發明專利]一種光刻機真空曝光裝置

有效

• 申請號: 201010605511.8
• 申請日: 2010-12-27
• 公開（公告）號: CN102012642A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 邢薇;胡松;趙立新;徐文祥;胡淘;陳磊
• 申請（專利權）人: 中國科學院光電技術研究所
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 梁愛榮

技術領域

本發明光刻技術領域，涉及一種光刻機的真空曝光裝置。

背景技術

在接近接觸式光刻機中，常常因為掩模板與硅片之間接觸不好，及因它們之間由于充有的其它氣體對光源產生不同程度的折射與反射，大大影響了光刻的質量。因此，將掩模板與硅片之間在光刻曝光之前被抽真空是非常必要的，這樣不僅可以大大提高光刻的線條分辨率，同時也提高了光刻的質量。

發明內容

為了解決現有技術的問題，本發明的目的是實現掩模板與硅片之間處于真空環境狀態，并保證掩摸板與硅片之間有良好的接觸，為此本發明提供一種光刻機真空曝光裝置。

為了實現所述目的，本發明光刻機真空曝光裝置解決技術問題所采用的技術方案包括：掩模臺、掩模板、硅片、密封膠圈、承片臺、兩個氣嘴、柔性鉸鏈、升降臺、第一氣嘴和真空氣嘴；掩模板放在掩模臺上，硅片放在承片臺上，密封膠圈套在承片臺的外側，承片臺通過柔性鉸鏈與升降臺相連；掩摸臺位于承片臺上方，掩摸臺上開有V形槽，承片臺上設有三個V形槽，通過對在掩模臺上的V形槽與承片臺上的三個V形槽進行抽真空操作，使硅片與掩摸板有良好接觸。

上述方案中，所述掩模臺為正方形并在其四周設有不穿透掩模臺的第一V形槽，第一V形槽為四方形結構，第一V形槽具有兩側壁，并在第一V形槽的一側壁上設有一個穿透掩模臺的圓孔，在穿透掩模臺的圓孔口端裝有一第一氣嘴供掩模臺抽真空用；當掩模板放在掩模臺上時，掩模板將掩模臺上的第一V型槽完全覆蓋住，并通過第一氣嘴對掩模臺進行抽真空，使掩摸板將會被牢固的吸在掩摸臺上；當掩摸板與硅片接觸時不會被硅片頂跑、頂偏而產生位移。

上述方案中，承片臺外形為圓錐形。所述承片臺上的三個V形槽為不穿透承片臺的V形槽及穿透承片臺的兩個圓形孔，在承片臺的兩個圓孔下方各固接有一個真空氣嘴，以供承片臺抽真空用，硅片放在承片臺上面時，會將承片臺表面上的三個第二V形槽遮蓋住，此時，通過兩個真空氣嘴對承片臺進行抽真空，硅片將會被牢固的吸在承片臺上，當硅片與掩模板接觸時不會產生位移。

上述方案中，所述密封膠圈是套在圓形承片臺的外側，并密封膠圈略高于承片臺，密封膠圈高度的余量既要保證硅片在上升貼近掩模臺時密封膠圈的膠皮不起皺打折，使硅片與掩模板有良好接觸，又要保證膠皮在貼近掩模臺時翻開并與掩模臺貼緊有良好的密封性，在通過真空氣嘴抽真空時保證掩模板與硅片之間有足夠的真空度，并且密封膠圈也可以防止硅片與掩模臺的硬接觸而損壞硅片。

上述方案中，所述掩模板被抽真空后是固定不動的，所以，當硅片上行與掩模板接觸時，通過柔性鉸鏈的自然擺動而自動的調整硅片與掩模板接觸的平整度。

上述方案中，所述的承片臺上的三個V形槽是360°環形結構，且之間通過十字槽將它們相互溝通。

上述方案中，所述三個V形槽的數量N，根據硅片的尺寸大小確定N≥3個。

本發明的有益效果：掩摸臺上開有V形槽，當把掩模板放在掩模臺上后可將掩摸臺上的V形槽蓋住，通過氣嘴進行抽真空時，掩模板將被牢固的吸在掩模臺上，這樣硅片就可以與它接觸時頂緊有良好的接觸，而不至于被硅片頂跑或移動位置。由于承片臺也開有V形槽，硅片放上后通過抽真空，硅片也同時被牢固的吸在承片臺上，此時就可將掩摸板與承片臺之間抽真空，實現掩模板與硅片之間在光刻曝光之前被抽真空，消除其他氣體對光源產生的折射與反射的影響，提高光刻分辨率，同時由于掩摸板與硅片有良好的接觸，提高曝光量，因此也提高了光刻的質量。本發明具有獨立的掩模臺、承片臺V形槽結構加工精度上易于保證，實現抽真空具有機構簡單、安裝調整方便、經濟、安全、可靠等優點。

附圖說明

圖1是本發明光刻機真空曝光裝置示意圖，

圖2是本發明掩模臺示意圖，

圖3是本發明承片臺示意圖。

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明白，以下結合具體實施例，并參照附圖，對本發明進一步詳細說明。