[發(fā)明專利]一種光刻膠剝離液

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010604152.4
• 申請(qǐng)日: 2010-12-24
• 公開（公告）號(hào): CN102012645A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何國銳;殷健成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞市智高化學(xué)原料有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/42
• 分類號(hào): G03F7/42
• 代理公司: 廣州市南鋒專利事務(wù)所有限公司 44228
• 代理人: 羅曉聰

技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明涉及一種光刻膠剝離液，特指一種適合于半導(dǎo)體基材上的殘留光刻膠剝離液。

背景技術(shù)：

在集成電路以及超大集成電路制造工藝中，光刻步驟一般是將光刻膠涂抹在SiO₂片或金屬膜上，然后經(jīng)過烘烤，曝光，顯影后得到所需要的有抗蝕劑保護(hù)的圖形。接著進(jìn)行刻蝕工藝，將圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面上，然后將覆蓋在晶圓上的保護(hù)膠膜除去。

通常，在制造半導(dǎo)體器件的工藝中使用十幾次光刻工藝，它包括去掉光刻掩膜版沒有掩蓋部分的光刻膠，在半導(dǎo)體襯底的傳導(dǎo)層上形成光刻圖形，然后刻蝕掉傳導(dǎo)層上光刻膠圖形沒有掩蓋的部分，從而形成傳導(dǎo)層的圖形，在傳導(dǎo)層圖形形成后，光刻膠圖形必須用光刻膠剝離劑從傳導(dǎo)層去除。而刻蝕工藝分為濕法刻蝕工藝和干法刻蝕工藝。近來的超大規(guī)模集成電路半導(dǎo)體制造業(yè)用干法刻蝕工藝來形成傳導(dǎo)層的圖形，不過，接著的剝離工藝除掉光刻膠就變得困難。

濕法刻蝕是利用特定的化學(xué)溶液將待刻蝕薄膜未被光刻膠覆蓋的部分分解，并轉(zhuǎn)成可溶于此溶液的化合物后加以排除，而達(dá)到可是的目的。干法刻蝕是利用輝光放電方式，產(chǎn)生包含離子、電子等帶點(diǎn)粒子及具有高度化學(xué)活性的中性原子與分子及自由基的等離子來進(jìn)行圖案的刻蝕技術(shù)。在現(xiàn)今的集成電路制造過程中，必須精確的控制各種材料尺寸至次微米大小且具有極高的再制性，而由于等離子刻蝕是現(xiàn)今技術(shù)中唯一能極有效率地將此工作在高良率下完成，因此等離子刻蝕便成為集成電路制造過程中的主要技術(shù)之一。不過，在干法刻蝕中，等離子體刻蝕氣體的離子和自由基引起與光刻膠膜的復(fù)雜化學(xué)反應(yīng)，迅速使光刻膠硬化，光刻膠變得難以去除。特別對(duì)于金屬襯底的干法刻蝕來說，改性及硬化的光刻膠聚合物在金屬襯底層上產(chǎn)生，它們難以在剝離時(shí)除掉，從而無法滿足市場(chǎng)的需求。

發(fā)明內(nèi)容：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題就在于克服目上述所存在的不足，提供種適合于半導(dǎo)體基材上的殘留光刻膠剝離液。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：該光刻膠剝離液的構(gòu)成原料及重量配比為：

水合肼或有機(jī)胺化合物????????1～15份；

溶劑????????????????????????10～45份；

抗蝕劑??????????????????????0.1～5份；

純水????????????????????????余份。

上述技術(shù)方案中，所述光刻膠剝離液的構(gòu)成原料及重量配比為：

水合肼或有機(jī)胺化合物????????11份；

溶劑????????????????????????31份；

抗蝕劑??????????????????????0.8份；

純水????????????????????????57.2份。

或，上述技術(shù)方案中，所述光刻膠剝離液的構(gòu)成原料及重量配比為：

水合肼或有機(jī)胺化合物????????14.3份；

溶劑????????????????????????35.4份；

抗蝕劑??????????????????????0.6份；

純水????????????????????????49.7份。

上述技術(shù)方案中，所述的有機(jī)胺化合物為：甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、異丙胺、仲丁胺、叔丁胺、乙二胺、己胺、己二胺、二亞乙基三胺、三亞乙基二胺、羥胺中的一種或幾種。

上述技術(shù)方案中，所述的溶劑為：二甲基亞砜、N-甲基吡啶烷酮、一甲基甲酰胺、一甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇二甲醚、N-N-二甲基乙酰胺、環(huán)丁砜中的一種或幾種。

上述技術(shù)方案中，所述的抗蝕劑為：鄰苯二酚、苯并三唑、沒食子酸、沒食子酸甲酯、乳酸、果糖、檸檬酸中的一種或幾種。

上述技術(shù)方案中，所述的純水是經(jīng)過離子交換樹脂過濾的水，其電阻至少是18MΩ。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

1、本發(fā)明適用于集成電路，超大集成電路中，蝕刻后的光刻膠剝離。

2、本發(fā)明能夠容易的清除蝕刻后的光刻膠膜，能對(duì)金屬布線腐蝕降低到最小化，并且對(duì)環(huán)境友好。

3、本發(fā)明對(duì)晶圓上的光刻膠及其殘留物，能快速的清洗并無殘留，而且對(duì)基底材料以及金屬配線腐蝕率低。

具體實(shí)施方式：

下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明：

實(shí)施例一

本實(shí)施例一具體原料及重量為：

水合肼????????????????????????11千克；