[發明專利]聚光型太陽能電池封裝結構的制作方法及其封裝結構無效
| 申請號: | 201010601793.4 | 申請日: | 2010-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN102456770A | 公開(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發明(設計)人: | 張詒安;賴利弘 | 申請(專利權)人: | 禧通科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/048;H01L31/052;H01L31/05 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 任永武 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚光 太陽能電池 封裝 結構 制作方法 及其 | ||
技術領域
本發明有關一種聚光型太陽能電池封裝結構的制作方法及其封裝結構,特別是一種以具有階梯狀結構的陶瓷基座包覆太陽能芯片而提高散熱效率的聚光型太陽能電池封裝結構的制作方法及其封裝結構。
背景技術
聚光型太陽能電池主要是利用透鏡將太陽光聚集在狹小的面積上以提高發電效率,當使用聚光型太陽能電池進行電能轉換時,由于材料本身的光譜吸收能力的限制,并無法百分之百將光能轉換成電能輸出,因此進入太陽能電池內多余的能量容易形成熱能囤積在電池中造成元件溫度的上升,導致電池內部暗電流大量上升而降低電池轉換效率。
在太陽能電池封裝結構中,一般是直接將太陽能芯片貼合于電路板上,并以焊線接合(wire?bond)方式電性連接太陽能芯片與電路板,之后直接灌注環氧樹脂以隔絕太陽能芯片與外界環境的接觸;然而環氧樹脂、太陽能芯片及電路板的熱膨脹系數間具有相當的差異,因此長時間使用后環氧樹脂容易受到水氣的侵蝕而與電路板脫離,導致無法完全覆蓋太陽能芯片,而使太陽能芯片的使用壽命受到影響;另一方面,由于太陽能芯片及電路板的熱膨脹系數的差異,太陽能芯片的散熱效率降低。
發明內容
為了解決上述問題,本發明目的之一是提出一種聚光型太陽能電池封裝結構的制作方法及其封裝結構,使具有理想的散熱效率且可有效保護太陽能芯片。
為了達到上述目的,根據本發明一方面的一種聚光型太陽能電池封裝結構的制作方法,包含:提供一陶瓷基座,其具有一上表面及一下表面;于陶瓷基座的上表面形成一凹槽,凹槽具有一底面;于凹槽的至少二相對內側壁分別形成一階梯狀結構;形成一第一電極線路于陶瓷基座,使第一電極線路貫穿陶瓷基座且第一電極線路的一頂端及一底端分別顯露于凹槽的底面及陶瓷基座的下表面;形成一第二電極線路于陶瓷基座,使第二電極線路貫穿陶瓷基座且第二電極線路的一頂端及一底端分別顯露于階梯狀結構的一表面及陶瓷基座的下表面;設置一太陽能芯片于凹槽的底面且與第一電極線路的頂端電性連接;電性連接太陽能芯片及第二電極線路;以及設置一透明罩體以覆蓋凹槽及太陽能芯片。
根據本發明另一方面的一種聚光型太陽能電池封裝結構包含:一陶瓷基座具有一上表面及一下表面,上表面設置有一凹槽,且凹槽具有一底面;凹槽的至少二相對內側壁分別形成一階梯狀結構,每一階梯狀結構包含至少二層的階梯平臺,分別為一下階梯平臺及一上階梯平臺;一第一電極線路貫穿陶瓷基座且第一電極線路的一頂端及一底端分別顯露于凹槽的底面及陶瓷基座的下表面;一第二電極線路貫穿陶瓷基座且第二電極線路的一頂端及一底端分別顯露于下階梯平臺的一表面及陶瓷基座的下表面;一太陽能芯片設置于凹槽的底面,與第一電極線路的頂端電性連接;一導電連接結構電性連接太陽能芯片及第二電極線路;以及一透明罩體設置于上階梯平臺的一表面,以覆蓋凹槽及太陽能芯片。
本發明的有益技術效果是:由于太陽能芯片是設置于陶瓷基座的凹槽中,受到陶瓷基座包覆而具有與陶瓷基座較大的接觸面積,因此太陽能芯片的散熱效果較佳;另一方面,借助透明罩體的保護,可長時間隔離外界水氣或空氣接觸太陽能芯片,有效保護太陽能芯片,而避免影響太陽能芯片的光電轉換效率及其使用壽命。
附圖說明
圖1A至圖1D所示為本發明一實施例聚光型太陽能電池封裝結構的制作方法剖面示意圖。
圖2所示為本發明第一實施例聚光型太陽能電池封裝結構的剖面示意圖。
圖3所示為圖2的仰視示意圖。
圖4所示為本發明第一實施例聚光型太陽能電池封裝結構的應用示意圖。
圖5所示為本發明一實施例的陶瓷基座仰視示意圖。
圖6所示為本發明第二實施例聚光型太陽能電池封裝結構的剖面示意圖。
具體實施方式
圖1A至圖1D所示為本發明一實施例聚光型太陽能電池封裝結構的制作方法剖面示意圖;如圖1A所示,先提供一陶瓷基座12,其上表面形成一凹槽14,且凹槽14的二相對內側壁142分別形成一階梯狀結構16,于一實施例中,凹槽14及階梯狀結構16是一體成型。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





