[發(fā)明專利]用于制造NMOS半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010600601.8
• 申請日: 2010-12-22
• 公開（公告）號: CN102569080A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳兵;宋化龍
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265;H01L21/28
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種用于制造NMOS半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括下列步驟：

提供半導(dǎo)體前端器件，包括襯底和位于所述襯底上的柵極；?

對所述半導(dǎo)體前端器件的襯底進(jìn)行N型離子注入，用以形成NMOS器件的源漏區(qū)；

對所述NMOS器件的源漏區(qū)進(jìn)行硅或碳的離子注入，其中所述硅或碳的離子注入是以相對于垂直于襯底表面的方向的傾斜角度進(jìn)行的；

對所述半導(dǎo)體前端器件進(jìn)行應(yīng)力記憶技術(shù)處理；以及

對所述半導(dǎo)體前端器件進(jìn)行退火，用以在所述NMOS器件的源漏區(qū)表面形成自對準(zhǔn)硅化物。

2.如權(quán)利要求1所述的用于制造NMOS半導(dǎo)體器件的方法，其中所述相對于垂直于襯底表面的方向的傾斜角度是15-30度。

3.如權(quán)利要求1所述的用于制造NMOS半導(dǎo)體器件的方法，其中所述進(jìn)行硅或碳的離子注入的能量是10-30千電子伏特。

4.如權(quán)利要求1所述的用于制造NMOS半導(dǎo)體器件的方法，其中所述進(jìn)行硅或碳的離子注入的量是（2-5）×?10¹⁴個每平方厘米。

5.如權(quán)利要求1所述的用于制造NMOS半導(dǎo)體器件的方法，其中所述應(yīng)力記憶技術(shù)處理包括沉積蝕刻停止層、沉積高應(yīng)力誘發(fā)層、涂覆光刻膠并進(jìn)行光刻、施以蝕刻以及進(jìn)行灰化工藝。

6.如權(quán)利要求1所述的用于制造NMOS半導(dǎo)體器件的方法，其中對所述半導(dǎo)體前端器件進(jìn)行退火包括進(jìn)行源漏雜質(zhì)活化的尖峰退火和對所述半導(dǎo)體前端器件進(jìn)行毫秒級退火。

7.如權(quán)利要求6所述的用于制造NMOS半導(dǎo)體器件的方法，其中所述毫秒級退火包括激光退火。

8.如權(quán)利要求1所述的用于制造NMOS半導(dǎo)體器件的方法，其中所述自對準(zhǔn)硅化物是鎳化硅。

9.一種利用如權(quán)利要求1至8中任意一項所述的方法制造的半導(dǎo)體器件的集成電路，所述集成電路選自隨機(jī)存取存儲器、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器、同步隨機(jī)存取存儲器、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器、只讀存儲器、可編程邏輯陣列、專用集成電路和掩埋式DRAM、射頻器件。

10.一種利用如權(quán)利要求1至8中任意一項所述的方法制造的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備，其中所述電子設(shè)備選自個人計算機(jī)、便攜式計算機(jī)、游戲機(jī)、蜂窩式電話、個人數(shù)字助理、攝像機(jī)和數(shù)碼相機(jī)。