[發明專利]OTP電路

有效

• 申請號: 201010600551.3
• 申請日: 2010-12-22
• 公開（公告）號: CN102543199A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 郭璐
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G11C17/08
• 分類號: G11C17/08
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種OTP電路，其特征在于，包括：基準電流源電路、存儲單元及其選擇電路、雙穩態電壓比較電路；

所述基準電流源電路用于為OTP電路的讀取提供一基準電流，所述基準電流源電路的輸出端和所述雙穩態電壓比較電路的第一輸入端相連，所述基準電流源電路的輸入端和第一組脈沖信號相連，當所述第一組脈沖信號有效后，所述基準電流源電路的基準電流輸入到所述雙穩態電壓比較電路中；

所述存儲單元及其選擇電路用于存儲信息，所述存儲單元及其選擇電路的輸出端和所述雙穩態電壓比較電路的第二輸入端相連，所述存儲單元及其選擇電路的輸入端分別和地址選擇信號、第一組脈沖信號相連接；所述第一組脈沖信號由所述地址選擇信號切換時觸發產生；所述地址選擇信號、所述第一組脈沖信號有效后，所述存儲單元及其選擇電路輸出一和所述存儲信息相對應的存儲單元電流到所述雙穩態電壓比較電路中；

所述雙穩態電壓比較電路還包括控制信號輸入端，所述控制信號輸入端分別和第二組脈沖信號、第三組脈沖信號相連；所述第二組脈沖信號、所述第三組脈沖信號都和所述第一組脈沖信號延遲一相同時間，且所述第二種脈沖信號和所述第三組脈沖信號反相；當所述第二組脈沖信號、所述第三組脈沖信號有效后，所述雙穩態電壓比較電路通過比較所輸入的所述基準電流和所述存儲單元電流后在所述雙穩態電壓比較電路的輸出端輸出所述存儲信息。

2.如權利要求1所述OTP電路，其特征在于：所述基準電流源電路由串聯的基準電流源、第一NMOS管、第二NMOS管組成，所述基準電流源連接在正電源電壓和所述第一NMOS管的漏極之間，所述第一NMOS管的源極和所述第二NMOS管的漏極相連、所述第二NMOS管的源極和地相連；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的柵極都和所述第一組脈沖信號相連；所述第一NMOS管的源極作為所述基準電流源電路的輸出端并和所述雙穩態電壓比較電路的第一輸入端相連。

3.如權利要求1所述OTP電路，其特征在于：所述存儲單元及其選擇電路由第三PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和一與門組成；所述第三PMOS管為存儲單元并用于存儲所述存儲信息；第三PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管形成串聯結構，第三PMOS管的源極接正電源電壓、所述第三PMOS管的漏極接所述第四NMOS管的漏極、所述第四NMOS管的源極接所述第五NMOS管的漏極、所述第五NMOS管的源極接地；所述第三PMOS管的柵極接行地址選擇信號；所述第四NMOS管的柵極接所述與門的輸出端，所述與門的兩個輸入端分別連接列地址選擇信號和所述第一組脈沖信號；所述第五NMOS管的柵極接所述第一組脈沖信號；所述第四NMOS管的源極作為所述存儲單元及其選擇電路的輸出端并和所述雙穩態電壓比較電路的第二輸入端相連。

4.如權利要求1所述OTP電路，其特征在于：所述雙穩態電壓比較電路由第一反相器、第二反相器、第六NMOS管、第七NMOS管、第一電容和第二電容組成；所述第一反相器的輸入端和所述第二反相器的輸出端相連、所述第一反相器的輸出端和所述第二反相器的輸入端相連；所述第六NMOS管的漏極和所述第一反相器的輸入端相連、所述第六NMOS管的源極接地、所述第一電容連接在所述第六NMOS管的柵極和地之間；所述第七NMOS管的漏極和所述第一反相器的輸出端相連、所述第七NMOS管的源極接地、所述第二電容連接在所述第七NMOS管的柵極和地之間；所述第一反相器包括兩個控制信號輸入端并分別和所述第二組脈沖信號和所述第三組脈沖信號相連、所述第二反相器包括兩個控制信號輸入端并分別和所述第二組脈沖信號和所述第三組脈沖信號相連；所述第六NMOS管的柵極作為所述雙穩態電壓比較電路的第一輸入端、所述第七NMOS管的柵極作為所述雙穩態電壓比較電路的第二輸入端、所述第一反相器的輸出端作為所述雙穩態電壓比較電路的輸出端。