[發(fā)明專利]MIM電容器及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010599891.9
• 申請(qǐng)日: 2010-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN102544118A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 牛健;李廣福;楊林宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/92
• 分類號(hào): H01L29/92;H01L21/334
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種MIM電容器，其特征在于，包括：

第一導(dǎo)電層，其中，所述第一導(dǎo)電層的金屬的晶粒大小為1.2um～2.5um；

絕緣層，位于所述第一導(dǎo)電層上；

第二導(dǎo)電層，位于所述絕緣層上，其中，所述第二導(dǎo)電層的金屬的晶粒大小為1.2um～2.5um。

2.如權(quán)利要求1所述的MIM電容器，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的厚度為420nm～460nm，所述第二導(dǎo)電層的厚度為110nm～150nm。

3.如權(quán)利要求2所述的MIM電容器，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層的材料為金屬鋁。

4.如權(quán)利要求1所述的MIM電容器的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度為35nm～40nm。

5.如權(quán)利要求4所述的MIM電容器的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的材料為二氧化硅。

6.一種MIM電容器的制備方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

在半導(dǎo)體襯底上沉積第一導(dǎo)電層，其中，所述第一導(dǎo)電層的金屬的晶粒大小為1.2um～2.5um；

在所述第一導(dǎo)電層上制備絕緣層；

在所述絕緣層上沉積第二導(dǎo)電層，其中，所述第二導(dǎo)電層的金屬的晶粒大小為1.2um～2.5um。

7.如權(quán)利要求6所述的MIM電容器的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的厚度為420nm～460nm，所述第二導(dǎo)電層的厚度為110nm～150nm。

8.如權(quán)利要求7所述的MIM電容器的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層的材料為金屬鋁。

9.如權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的MIM電容器的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層的沉積方法為濺射。

10.如權(quán)利要求9所述的MIM電容器的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層的濺射條件為：濺射功率：10000W～12000W，壓力：2mTorr～6mTorr，溫度：250℃～280℃。

11.如權(quán)利要求10所述的MIM電容器的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層的沉積步驟為：

(1)判斷濺射機(jī)臺(tái)的停機(jī)時(shí)間是否超過設(shè)定時(shí)間，若超過，則進(jìn)行步驟(2)，若未超過，則進(jìn)行步驟(3)；

(2)利用模擬晶片在所述濺射條件下進(jìn)行模擬沉積，待濺射機(jī)臺(tái)運(yùn)行穩(wěn)定后轉(zhuǎn)到步驟(3)；

(3)將所述半導(dǎo)體襯底置于濺射機(jī)臺(tái)中，在所述濺射條件下沉積第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層。

12.如權(quán)利要求11所述的MIM電容器的制備方法，其特征在于，所述設(shè)定時(shí)間為3分鐘。

13.如權(quán)利要求10所述的MIM電容器的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層的濺射條件為：濺射功率：11500W，壓力：2mTorr～6mTorr，溫度：250℃～280℃。

14.如權(quán)利要求6所述的MIM電容器的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度為35nm～40nm。

15.如權(quán)利要求14所述的MIM電容器的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的材料為二氧化硅。