[發明專利]CMP工藝缺陷檢測方法和淺溝槽隔離的制作方法

有效

• 申請號: 201010599263.0
• 申請日: 2010-12-21
• 公開（公告）號: CN102543786A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 陳亞威
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

1.一種CMP工藝缺陷檢測方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有至少兩個開口，所述開口之間具有半導體結構，所述半導體結構上具有研磨阻擋層；

在所述開口內的基底表面和研磨阻擋層上覆蓋介質層；

進行CMP工藝去除所述研磨阻擋層之上的介質層，從而平坦化所述基底表面，然后去除所述研磨阻擋層；

在開口內覆蓋介質層之前或者去除研磨阻擋層之后，測量所述半導體結構的關鍵尺寸；

檢測CMP工藝后基底表面是否具有劃痕缺陷，如果是，則進行下一步；

判斷所述半導體結構的關鍵尺寸是否大于預設值，如果是，確定所述劃痕缺陷由標記刻蝕過程引入。

2.根據權利要求1所述的CMP工藝缺陷檢測方法，其特征在于，所述判斷半導體結構的關鍵尺寸是否大于預設值的步驟還包括：如果否，則確定所述劃痕缺陷由CMP工藝本身引入。

3.根據權利要求2所述的CMP工藝缺陷檢測方法，其特征在于，所述開口為溝槽或通孔。

4.根據權利要求2所述的CMP工藝缺陷檢測方法，其特征在于，所述開口為淺溝槽，所述半導體結構為有源區。

5.根據權利要求1所述的CMP工藝缺陷檢測方法，其特征在于，所述關鍵尺寸是否大于預設值決定所述CMP工藝中是否采用反型掩膜層工藝。

6.根據權利要求5所述的CMP工藝缺陷檢測方法，其特征在于，所述反型掩膜層工藝包括以下步驟：

形成介質層之后，在所述介質層上形成反型掩膜層；

在所述反型掩膜層中形成所述半導體結構的圖案；

以具有半導體結構圖案的反型掩膜層為刻蝕阻擋層，刻蝕所述介質層；

去除所述反型掩膜層。

7.根據權利要求6所述的CMP工藝缺陷檢測方法，其特征在于，所述反型掩膜層中的半導體結構的圖案相對于半導體結構具有縮減尺寸，所述預設值為光刻膠縮減尺寸的兩倍。

8.根據權利要求1～7任一項所述的CMP工藝缺陷檢測方法，其特征在于，所述測量半導體結構的關鍵尺寸采用非破壞式的測量方法。

9.一種淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體襯底，所述半導體襯底具有多個有源區，并在所述半導體襯底表面形成研磨阻擋層；

在所述半導體襯底內多個有源區之間形成淺溝槽；

在所述淺溝槽內和研磨阻擋層上的半導體襯底表面形成介質層；

進行CMP工藝去除所述研磨阻擋層之上的介質層，留下淺溝槽內的介質層，從而平坦化所述基底表面，最后去除所述研磨阻擋層；

在溝槽內覆蓋介質層之前或者去除研磨阻擋層之后，測量所述有源區的關鍵尺寸；

當CMP工藝后基底表面具有劃痕缺陷時，判斷所述有源區的關鍵尺寸是否大于預設值，如果是，確定所述劃痕缺陷由標記刻蝕過程引入；如果否，則確定所述劃痕缺陷由CMP工藝本身引入；

根據上述步驟確定的缺陷引起的原因，采取相應的解決措施以減少劃痕缺陷。