[發(fā)明專利]聚二甲基硅氧烷表面的物理及化學(xué)聯(lián)合修飾方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010598652.1
• 申請日: 2010-12-21
• 公開（公告）號: CN102093586A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王敏;李玨瑜
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號: C08J7/12
• 分類號: C08J7/12;C08L83/04;C25D11/04;B29C39/14;B82Y40/00
• 代理公司: 杭州中成專利事務(wù)所有限公司 33212
• 代理人: 唐銀益

1.一種聚二甲基硅氧烷表面的物理及化學(xué)聯(lián)合修飾方法，其特征在于，通過電解鋁片的方法制得陽極氧化鋁膜，將聚二甲基硅氧烷澆注到陽極氧化鋁模板上，經(jīng)固化、脫膜，制作出高聚物的表面納米結(jié)構(gòu)，然后，通過等離子照射活化高聚物表面，浸泡實現(xiàn)聚乙烯醇（PVA）的修飾，從而引入親水基團。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚二甲基硅氧烷表面的物理及化學(xué)聯(lián)合修飾方法，其特征在于，通過電解鋁片的方法制得陽極氧化鋁膜的具體步驟如下：

（1）、把鋁片在乙醇溶液和去離子水里各超聲清洗5分鐘，在程序升溫爐中500°C高溫灼燒3小時，消除內(nèi)應(yīng)力；

（2）、在體積比為2:2:1的硫酸、磷酸、硝酸混酸溶液中，40°C保持20分鐘除去鋁表面油脂，用去離子水清洗干凈；

（3）、在體積比為2:2:1硫酸、磷酸、水溶液中進行電化學(xué)拋光15分鐘，保持電流在2A以下，以碳棒為參比電極，取出用去離子水清洗；

（4）、在6%的磷酸中進行一次氧化1小時，電壓為55V，用水浴法保持溫度15°C以下；

（5）、將上述鋁片在質(zhì)量百分比濃度為6%的磷酸和質(zhì)量百分比濃度為1.8%的鉻酸按體積比1:1混合而成的溶液中，60°C浸泡1小時，除去一次氧化層；

（6）、在6%的磷酸溶液中進行二次氧化1小時，電壓為55V，用水浴法保持電解液溫度處在15°C以下，制得陽極氧化鋁模板。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚二甲基硅氧烷表面的物理及化學(xué)聯(lián)合修飾方法，其特征在于，在制作出納米結(jié)構(gòu)的聚二甲基硅氧烷表面修飾PVA的步驟如下：

（1）、配制聚二甲基硅氧烷高聚物，前驅(qū)體聚二甲基硅氧烷和固化劑按10:1的質(zhì)量比例混合均勻；

（2）、在真空干燥箱里抽真空半小時，除去攪拌時產(chǎn)生的氣泡；

（3）、陽極氧化鋁模板表面用去離子水清洗干凈后，將配制好的聚二甲基硅氧烷澆注到陽極氧化鋁模板上，75°C在真空干燥箱中加熱1小時固化；

（4）、將聚二甲基硅氧烷高聚物固化后的陽極氧化鋁模板，放在乙醇溶液中浸泡半小時，剝落氧化鋁膜，在高聚物的表面形成一層納米結(jié)構(gòu)；

（5）、把制得的高聚物在等離子照射儀中照射3分鐘；

（6）、把照射后的聚二甲基硅氧烷高聚物在1%的聚乙烯醇溶液中浸泡20分鐘，拿出后用電吹風(fēng)吹干。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的聚二甲基硅氧烷表面的物理及化學(xué)聯(lián)合修飾方法，其特征在于，所采用的鋁片純度為99.9%，厚度為0.2mm，面積為18mm²。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的聚二甲基硅氧烷表面的物理及化學(xué)聯(lián)合修飾方法，其特征在于，所采用的酸都是濃酸，乙醇濃度為95%。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的聚二甲基硅氧烷表面的物理及化學(xué)聯(lián)合修飾方法，其特征在于，本發(fā)明的實驗環(huán)境是在室內(nèi)，一個大氣壓下。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的聚二甲基硅氧烷表面的物理及化學(xué)聯(lián)合修飾方法，其特征在于，制備氧化鋁模板時，鋁片與導(dǎo)線連接處保持在電解液上面，且用絕緣膠帶纏繞保護。