[發(fā)明專利]臥式結構的低阻值片式負溫度系數熱敏電阻及其制造方法

有效

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• 申請日: 2010-12-17
• 公開（公告）號: CN102122553A
• 公開（公告）日: 2011-07-13
• 發(fā)明（設計）人: 康建宏;包漢青;潘士賓;冷東;賈廣平
• 申請（專利權）人: 深圳順絡電子股份有限公司
• 主分類號: H01C7/04
• 分類號: H01C7/04;H01C17/00;H01C17/065
• 代理公司: 深圳市中知專利商標代理有限公司 44101
• 代理人: 張皋翔

1.一種臥式結構的低阻值片式負溫度系數熱敏電阻，采用印制線路板工藝制成表面貼裝型結構，包括NTC熱敏電阻芯片和端電極，其特征在于：

所述NTC熱敏電阻芯片是疊層片式NTC熱敏電阻芯片，其坯體是由生胚膜片和印刷有內電極的生坯膜片反復疊層壓合成的多層疊片坯體，所述多層疊片坯體自下而上依次為；

一枚印刷有切割尺寸線(mark)的生坯膜片；

由n1{≥1的正整數}枚空白生坯膜片和末尾一枚空白生坯膜片表面的一枚印刷有內電極的生坯膜片組成的下基板，所述n1由設定的熱敏電阻阻值決定；

M{≥1的正整數}組由n2{≥1的正整數}枚空白生坯膜片和末尾一枚空白生坯膜片表面的一枚印刷有內電極的生坯膜片組成的m層中間隔層，所述n2、m分別由設定的熱敏電阻阻值決定，m越大，疊層壓合的印刷有內電極生坯膜片的層數越多，即中間隔層總厚度越大，熱敏電阻阻值也越大，反之亦反；

由n3{≥1的正整數}枚空白生坯膜片組成的上基板，所述n3由設定的熱敏電阻阻值決定。

2.如權利要求1所述的臥式結構的低阻值片式負溫度系數熱敏電阻，其特征在于：

所述空白生坯膜片由包括過渡金屬氧化物混合粉料的漿料流延、烘干成型。

3.如權利要求1或2所述的臥式結構的低阻值片式負溫度系數熱敏電阻，其特征在于：

所述印刷有內電極圖形的生坯膜片，是采用導電銀漿在所述空白生坯膜片表面印刷有設定面積的內電極圖形的生坯膜片；

所述導電銀漿是摻有鈀的銀漿料，所述鈀與所述銀的質量比為(0～0.8)∶1。

4.如權利要求3所述的臥式結構的低阻值片式負溫度系數熱敏電阻，其特征在于：

所述內電極是多邊形片內電極，所述內電極的面積由設定的NTC熱敏電阻阻值決定。

5.一種臥式結構的低阻值片式負溫度系數熱敏電阻制造方法，采用印制線路板工藝制成表面貼裝型結構，包括NTC熱敏電阻芯片制作方法和端電極制作方法，其特征在于：

所述NTC熱敏電阻芯片制作方法是疊層片式NTC熱敏電阻芯片制作方法，包括多層疊片坯體的制作，其自下而上依次疊片的步驟如下；

1)疊放一枚印刷有切割尺寸線(mark)的生坯膜片；

2)疊放由n1{≥1的正整數}枚空白生坯膜片和末尾一枚空白生坯膜片表面的一枚印刷有內電極的生坯膜片組成的下基板，所述n1由設定的熱敏電阻阻值決定；

3)疊放m{≥1的正整數}組由n2{≥1的正整數}枚空白生坯膜片和末尾一枚空白生坯膜片表面的一枚印刷有內電極的生坯膜片組成的m層中間隔層，所述n2、m分別由設定的熱敏電阻阻值決定；

4)疊放由n3{≥1的正整數}枚空白生坯膜片組成的上基板，所述n3由設定的熱敏電阻阻值決定。

6.如權利要求5所述的臥式結構的低阻值片式負溫度系數熱敏電阻制造方法，其特征在于：

所述空白生坯膜片由包括過渡金屬氧化物混合粉料的漿料流延、烘干成型。

7.如權利要求5或6所述的臥式結構的低阻值片式負溫度系數熱敏電阻制造方法，其特征在于：

所述印刷有內電極圖形的生坯膜片，是采用導電銀漿在所述空白生坯膜片表面印刷有設定面積的內電極圖形的生坯膜片；

所述導電銀漿是摻有鈀的銀漿料，所述鈀與所述銀的質量比為(0～0.8)∶1。

8.如權利要求7所述的臥式結構的低阻值片式負溫度系數熱敏電阻制造方法，其特征在于：

所述內電極是多邊形片內電極，所述內電極的面積由設定的NTC熱敏電阻阻值決定。

9.如權利要求8所述的臥式結構的低阻值片式負溫度系數熱敏電阻制造方法，其特征在于：

所述印刷有切割尺寸線的生坯膜片，是依據產品的設計尺寸要求用普通內電極銀漿在所述空白生坯膜片表面印刷有切割尺寸線的生坯膜片，所述普通內電極銀漿是包括銀粉顆粒、粘合劑、增塑劑、高沸點溶劑以及流變助劑的銀漿。

10.如權利要求9所述的臥式結構的低阻值片式負溫度系數熱敏電阻制造方法，其特征在于：

還包括切割步驟，所述切割步驟是在所述多層疊片坯體通過等靜壓處理后進行疊層焙燒前采用軋刀或滾刀方式按照所述生坯膜片的切割尺寸線將所述坯體切割成單個獨立的產品生坯。