[發(fā)明專利]靜電放電保護(hù)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010594425.1
• 申請(qǐng)日: 2010-12-14
• 公開（公告）號(hào): CN102201665A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡銘憲;葉子禎;周淳樸;薛福隆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H02H9/04
• 分類號(hào): H02H9/04;H01L23/60;H01L27/04
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張?jiān)≡?劉文意

1.一種靜電放電ESD保護(hù)裝置，包括：

一第一半導(dǎo)體型態(tài)的一基板；

一第二半導(dǎo)體型態(tài)的一第一阱，形成在該基板之中；

該第一半導(dǎo)體型態(tài)的第一多個(gè)側(cè)向間隔的參雜區(qū)域，形成于該第一阱的一上表面，該多個(gè)側(cè)向間隔的參雜區(qū)域耦接一起以定義該ESD保護(hù)裝置的一陽(yáng)極；

該第二半導(dǎo)體型態(tài)的第二多個(gè)側(cè)向間隔的參雜區(qū)域，形成于該第一阱的該上表面，該第二多個(gè)側(cè)向間隔的參雜區(qū)域耦接一起以定義該ESD保護(hù)裝置的一陰極；

多個(gè)淺溝渠隔離STI區(qū)域，設(shè)置于該第一阱的一上表面，該多個(gè)STI區(qū)域的每一個(gè)設(shè)置于該第一半導(dǎo)體型態(tài)的一側(cè)向間隔參雜區(qū)域以及該第二半導(dǎo)體型態(tài)的一第二側(cè)向間隔參雜區(qū)域之間；

其中當(dāng)反向偏壓時(shí)借由該第一阱與該第二半導(dǎo)體型態(tài)的該第二多個(gè)側(cè)向間隔的參雜區(qū)域所定義的一二極管用于操作成一無(wú)源無(wú)線電頻率電容器，并且當(dāng)該陽(yáng)極或該陰極的一端接收一ESD電壓突波時(shí)，則順向偏壓以提供一電流旁路。

2.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其中該第一半導(dǎo)體型態(tài)是一p型且該第二半導(dǎo)體型態(tài)是一n型。

3.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其中當(dāng)在該二極管或該陰極的一端接收到該ESD電壓突波時(shí)，該第一阱與該基板所定義的一二極管組態(tài)成順向偏壓。

4.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，更包括該第一半導(dǎo)體型態(tài)的一第二阱，形成于該基板之中，且環(huán)繞該第二半導(dǎo)體型態(tài)的該第一阱，其中當(dāng)在該陽(yáng)極或該陰極的一端接收該ESD電壓突波時(shí)，該第一半導(dǎo)體型態(tài)的該第二阱與該第二半導(dǎo)體型態(tài)的該第一阱定義一第一二極管用以提供一第二電流旁路。

5.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其中該ESD保護(hù)裝置的該陽(yáng)極耦接到一低噪聲放大器的一輸入節(jié)點(diǎn)用以接收一射頻輸入信號(hào)，且該ESD保護(hù)裝置的該陰極耦接到該低噪聲放大器的一正電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)，其中該輸入節(jié)點(diǎn)耦接到一第一晶體管的一柵極，該第一晶體管的一源極耦接到一負(fù)電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)，且一源極耦接到一第二晶體管的一源極，該第二晶體管的一漏極耦接到該低噪聲放大器的一輸出節(jié)點(diǎn)與該正電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)，其中該低噪聲放大器包括一功率箝制電路平行耦接該第一與該第二晶體管，該電源箝制電路包括多個(gè)晶體管。

6.一種射頻靜電放電ESD保護(hù)裝置，包括：

一第二半導(dǎo)體型態(tài)的一第一阱，形成在一第一半導(dǎo)體型態(tài)的一基板之中；

該第一半導(dǎo)體型態(tài)的一第二阱，形成在該基板且環(huán)繞該第一阱；

該第一半導(dǎo)體型態(tài)的第一多個(gè)參雜區(qū)域，形成于該第一阱的一上表面，該多個(gè)參雜區(qū)域耦接一起以定義該ESD保護(hù)裝置的一陽(yáng)極；

該第二半導(dǎo)體型態(tài)的第二多個(gè)參雜區(qū)域，形成于該第一阱的該上表面，該多個(gè)參雜區(qū)域耦接一起以形成該ESD保護(hù)裝置的一陰極；

多個(gè)淺溝渠隔離STI區(qū)域，設(shè)置于該第一阱的一上表面，該多個(gè)STI區(qū)域的每一個(gè)設(shè)置于該第一半導(dǎo)體型態(tài)的該參雜區(qū)域的一個(gè)以及該第二半導(dǎo)體型態(tài)的該參雜區(qū)域的一個(gè)之間；

其中當(dāng)反向偏壓時(shí)該第一阱與該第一半導(dǎo)體型態(tài)的該多個(gè)側(cè)向間隔的參雜區(qū)域用于操作成一無(wú)源無(wú)線電頻率電容器，并且當(dāng)在該陽(yáng)極或該陰極的一端接收到一ESD電壓突波時(shí)，則順向偏壓以提供一電流旁路。

7.如權(quán)利要求6所述的射頻靜電放電保護(hù)裝置，其中當(dāng)該陽(yáng)極或該陰極接收一ESD電壓突波時(shí)，該第一與第二阱形成一第二二極管用于提供一第二電流旁路，其中當(dāng)該陽(yáng)極或該陰極接收一ESD電壓突波時(shí)，該第一阱與該基板形成一第三二極管用于提供一第三電流旁路。

8.如權(quán)利要求6所述的射頻靜電放電保護(hù)裝置，其中該第二半導(dǎo)體型態(tài)是一n型且該第一半導(dǎo)體型態(tài)是一p型。