[發(fā)明專利]單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝的兩步制備法及裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010593772.2 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102557400A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張洪齊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 羅萬(wàn)前 |
| 主分類號(hào): | C03B20/00 | 分類號(hào): | C03B20/00 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 610067 四川省成都市*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單晶硅 生長(zhǎng) 石英 坩堝 制備 裝置 | ||
1.單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝的兩步制備法及裝置,其特征在于:石英坩堝的制備分兩步進(jìn)行,第一步,利用石英玻璃連續(xù)電熔爐,拉制與坩堝直徑相同的石英玻璃管;第二步,截?cái)啻斯芎螅匆话闶⒉AЧ懿挠没鹧婕訜崾湛诜忸^相似的工藝,在專用火焰收口封底裝置上,對(duì)截?cái)嗟牟AЧ苓M(jìn)行火焰收口封底,封底后的制品即為所需的石英坩堝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝的兩步制備法及裝置,其特征在于:拉制石英玻璃管時(shí),首先采用申請(qǐng)?zhí)枮?01010204350.1的內(nèi)熱式石英玻璃連續(xù)電熔爐。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝的兩步制備法及裝置,其特征在于:專用火焰收口封底機(jī)由機(jī)架(7),位于機(jī)架之上、與待加工的坩堝(2)同軸(5)、可自轉(zhuǎn)、可軸向移動(dòng)、帶密封圈(3)、帶氣道的兩段外形與坩堝內(nèi)壁吻合的石墨芯模(4),數(shù)組可轉(zhuǎn)動(dòng)、可軸問(wèn)移動(dòng)、可徑向移動(dòng)和擺動(dòng)的環(huán)形、多個(gè)燃燒頭組成的燃?xì)饧訜崛?1)和抽、充氣系統(tǒng)(6)組成。
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