[發(fā)明專利]靜電保護(hù)器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010593664.5
• 申請日: 2010-12-17
• 公開（公告）號: CN102543991A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇慶
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/06
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 王江富

1.一種靜電保護(hù)器件，包括相鄰的一個N阱和一個P阱，其特征在于，

所述N阱中，形成有第一P+擴(kuò)散區(qū)、第二P+擴(kuò)散區(qū)、第一N+擴(kuò)散區(qū)；

所述P阱中，形成有第三P+擴(kuò)散區(qū)、第四P+擴(kuò)散區(qū)、第三N+擴(kuò)散區(qū)；

所述N阱中的第一P+擴(kuò)散區(qū)、第二P+擴(kuò)散區(qū)、第一N+擴(kuò)散區(qū)形成一PNP晶體管或一PMOS管，所述第一P+擴(kuò)散區(qū)及第一N+擴(kuò)散區(qū)短接用于接靜電端；

所述P阱中的第三P+擴(kuò)散區(qū)、第四P+擴(kuò)散區(qū)、第三N+擴(kuò)散區(qū)，第三P+擴(kuò)散區(qū)距離N阱最近，第三N+擴(kuò)散區(qū)次之，第四P+擴(kuò)散區(qū)距離N阱最遠(yuǎn)，第三P+擴(kuò)散區(qū)及第三N+擴(kuò)散區(qū)短接用于接地端，第四P+擴(kuò)散區(qū)及N阱中的第二P+擴(kuò)散區(qū)短接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護(hù)器件，其特征在于，在N阱中，還形成有第二N+擴(kuò)散區(qū)，第二N+擴(kuò)散區(qū)距離P阱較第一P+擴(kuò)散區(qū)、第二P+擴(kuò)散區(qū)、第一N+擴(kuò)散區(qū)近，第二N+擴(kuò)散區(qū)同第一P+擴(kuò)散區(qū)及第一N+擴(kuò)散區(qū)短接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護(hù)器件，其特征在于，所述N阱中的第一P+擴(kuò)散區(qū)、第二P+擴(kuò)散區(qū)、第一N+擴(kuò)散區(qū)形成一PNP晶體管，第一P+擴(kuò)散區(qū)作為該PNP晶體管的發(fā)射極，第二P+擴(kuò)散區(qū)作為該PNP晶體管的發(fā)射極集電極，第一N+擴(kuò)散區(qū)作為該PNP晶體管的基極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護(hù)器件，其特征在于，所述N阱中的第一P+擴(kuò)散區(qū)、第二P+擴(kuò)散區(qū)、第一N+擴(kuò)散區(qū)形成一PMOS管，第一P+擴(kuò)散區(qū)、第二P+擴(kuò)散區(qū)分別作為該PMOS管的源、漏極，第一N+擴(kuò)散區(qū)作為該PMOS管的襯底端，第一P+擴(kuò)散區(qū)、第二P+擴(kuò)散區(qū)之間的溝道區(qū)上方形成有該PMOS管的柵極，該PMOS管的柵極同第一P+擴(kuò)散區(qū)及第一N+擴(kuò)散區(qū)短接。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電保護(hù)器件，其特征在于，第二N+擴(kuò)散區(qū)較第一N+擴(kuò)散區(qū)、第三N+擴(kuò)散區(qū)深。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護(hù)器件，其特征在于，第三P+擴(kuò)散區(qū)較第一P+擴(kuò)散區(qū)、第二P+擴(kuò)散區(qū)、第四P+擴(kuò)散區(qū)深。