[發(fā)明專利]溝槽MOSFET器件及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010593571.2
• 申請(qǐng)日: 2010-12-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102569384A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王加坤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司;無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

1.一種溝槽MOSFET器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括本體層和所述本體層之上的外延層；

位于所述外延層中的第一溝槽和接觸孔；其中，所述第一溝槽為梳狀溝槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET器件，其特征在于，還包括：位于所述外延層中與所述第一溝槽相連通的第二溝槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET器件，其特征在于，還包括：位于所述外延層中與所述第一溝槽成對(duì)稱結(jié)構(gòu)的第三溝槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的溝槽MOSFET器件，其特征在于，所述第二溝槽為方形、六角形或圓形溝槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的溝槽MOSFET器件，其特征在于，還包括：

位于所述外延層上的介質(zhì)層；

位于所述介質(zhì)層上的金屬層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的溝槽MOSFET器件，其特征在于，所述接觸孔穿過(guò)所述介質(zhì)層與所述金屬層相連。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的溝槽MOSFET器件，其特征在于，還包括：位于所述本體層下表面的漏極。

8.一種溝槽MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括本體層和所述本體層之上的外延層；

在所述外延層中形成具有梳狀結(jié)構(gòu)的第一溝槽。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述外延層上形成介質(zhì)層；

在所述介質(zhì)層中形成接觸孔，且所述接觸孔的底部伸入到所述外延層中；

在所述介質(zhì)層上形成金屬層。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，還包括：在所述外延層中形成與所述第一溝槽相連通的第二溝槽；其中，所述第二溝槽的形狀為方形、圓形或六角形。