[發(fā)明專利]一種用于核微孔膜生產(chǎn)過程的防護(hù)結(jié)構(gòu)以及核微孔膜的生產(chǎn)方法

有效

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• 申請日: 2010-12-09
• 公開（公告）號: CN102059058A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔清臣;凌紅旗;晏光明;黃海龍
• 申請（專利權(quán)）人: 中山國安火炬科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: B01D67/00
• 分類號: B01D67/00
• 代理公司: 中山市漢通知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44255
• 代理人: 田子榮

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種用于核微孔膜生產(chǎn)過程的防護(hù)結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

核微孔膜作為防偽和過濾用途，受到市場歡迎，特別是用于防偽，其不可仿制和容易被消費(fèi)者識別，更是高端客戶的選擇，所以市場需求快速增長。核微孔膜的生產(chǎn)過程是：通過核反應(yīng)堆產(chǎn)生的裂變粒子或者串列式重離子加速器產(chǎn)生的高能粒子去轟擊(輻照)高分子材料膜，損傷其分子鏈，被損傷分子鏈的部分會形成不同于原材料的酸堿特性，將這種輻照轟擊后的被損傷的高分子鏈置于堿液(或者酸液)中會被溶解(蝕刻)，從而形成密度為每平方厘米數(shù)十萬至數(shù)千萬個、孔徑為微米級的微孔膜。

目前在生產(chǎn)中，為保證指定位置出現(xiàn)微孔，而某些地方不出現(xiàn)微孔，且不受堿液(或者酸液)的侵蝕，需要在生產(chǎn)過程中制作一種用于核微孔膜生產(chǎn)過程的防護(hù)結(jié)構(gòu)，即在輻照前對不需要微孔部分的高分子材料膜11涂布防護(hù)層12(稱為成像)，而由于防護(hù)涂層為無色透明，所以，無法雙面對位涂布，只能單面涂布防護(hù)涂層，另一面復(fù)合保護(hù)材料層13，即單面蝕刻。由于蝕刻過程較為緩慢，走膜每分鐘僅為1-2米。所以，此種防護(hù)結(jié)構(gòu)下的生產(chǎn)效率低，不能滿足市場需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供能提高核微孔膜生產(chǎn)效率的一種用于核微孔膜生產(chǎn)過程的防護(hù)結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的一種用于核微孔膜生產(chǎn)過程的防護(hù)結(jié)構(gòu)包括一個用于形成第一核微孔膜的第一膜層，在該第一膜層一面上認(rèn)為不需要微孔的位置涂布有第一防護(hù)層，在該第一膜層的另一面復(fù)合保護(hù)膜層，其特征在于：在保護(hù)膜層上相對與第一膜層復(fù)合面的另一面復(fù)合有一個用于形成第二核微孔膜的第二膜層，在該第二膜層相對與保護(hù)膜層復(fù)合面的另一面上認(rèn)為不需要微孔的位置涂布有第二防護(hù)層。

進(jìn)一步地，所述的第一膜層、第二膜層是在涂布離型層后通過黏合劑與保護(hù)膜層結(jié)合。

進(jìn)一步地，所述的第一膜層、第二膜層和保護(hù)膜層為PET膜。

進(jìn)一步地，所述的第一膜層、第二膜層等厚

進(jìn)一步地，所述的第一膜層、第二膜層和保護(hù)膜層的厚度分別為15微米、15微米和12微米。

一種使用本發(fā)明防護(hù)結(jié)構(gòu)的核微孔膜生產(chǎn)方法之一，其特征在于步驟如下：

(一)涂布防護(hù)層(成像)：在第一膜層和第二膜層的一面認(rèn)為不需要微孔的位置分別涂布防護(hù)層(成像)，烘干。

(二)涂布離型層和黏合劑：在第一膜層和第二膜層的沒有涂布防護(hù)層的一面(非成像面)分別依次涂布離型層和黏合劑。

(三)兩次復(fù)合：將保護(hù)膜層的兩面分別與第一和第二膜層上的離型層通過黏合劑黏合。

(四)輻照(轟擊)：調(diào)整輻照能量強(qiáng)度，達(dá)到可以分別穿透第一和第二膜層的強(qiáng)度，將復(fù)合后的防護(hù)結(jié)構(gòu)兩面各輻照一次。

(五)蝕刻：將防護(hù)結(jié)構(gòu)的膜在堿液(或者酸液)中蝕刻。

(六)剝離：將第一膜層和第二膜層剝離出來，即得到兩層微孔膜。

本方法所使用的防護(hù)層采用抗酸堿蝕刻和防輻照材料制作，是在抗酸堿蝕刻材料中添加有能衰減高能粒子能量的金屬或者非金屬材料。

一種使用本發(fā)明防護(hù)結(jié)構(gòu)的核微孔膜生產(chǎn)方法之二，其特征在于步驟如下：

(一)涂布防護(hù)層(成像)：在第一膜層和第二膜層的一面認(rèn)為不需要微孔的位置分別涂布防護(hù)層(成像)，烘干，收卷備用。

(二)涂布離型層和黏合劑：在第一膜層和第二膜層的沒有涂布防護(hù)層的一面(非成像面)分別依次涂布離型層和黏合劑。

(三)兩次復(fù)合：將保護(hù)膜層的兩面分別與第一和第二膜層上的離型層通過黏合劑黏合。

(四)輻照(轟擊)：調(diào)整輻照能量強(qiáng)度，達(dá)到可以穿透整個防護(hù)結(jié)構(gòu)厚度的強(qiáng)度，輻照一次。

(五)蝕刻：將防護(hù)結(jié)構(gòu)的膜在堿液(或者酸液)中蝕刻。

(六)剝離：將第一膜層和第二膜層剝離出來，即得到兩層微孔膜。

本方法所使用的防護(hù)層采用抗酸堿蝕刻材料。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

(一)在本發(fā)明防護(hù)結(jié)構(gòu)下使用方法一，實(shí)現(xiàn)經(jīng)過兩次輻照，一次蝕刻，可以生產(chǎn)出兩層有效的微孔膜，使得蝕刻速度提高一倍，工序減少一倍，且節(jié)約一半保護(hù)膜；

(二)在本發(fā)明防護(hù)結(jié)構(gòu)下使用方法二，則實(shí)現(xiàn)一次輻照，一次蝕刻，可以生產(chǎn)出兩層有效的微孔膜，使得蝕刻速度提高1倍，工序減少一倍，且節(jié)約一半保護(hù)膜。整個新工藝生產(chǎn)速度是傳統(tǒng)方法4-5倍。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有一種用于核微孔膜生產(chǎn)過程的防護(hù)結(jié)構(gòu)；

圖2是本發(fā)明防護(hù)結(jié)構(gòu)實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明防護(hù)結(jié)構(gòu)實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。

實(shí)施例一