[發明專利]發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010592971.1
• 申請日: 2010-12-14
• 公開（公告）號: CN102117878A
• 公開（公告）日: 2011-07-06
• 發明（設計）人: 元晶敏
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 陸弋;王偉

相關申請的交叉引用

本申請要求(2010年1月05日提交的)韓國專利申請No.10-2010-0000487的優先權，該韓國申請的全部內容在此通過引用通過引用的方式并入。

技術領域

實施例涉及一種發光器件及制造該發光器件的方法。

背景技術

發光二極管(LED)是將電流轉換為光的半導體發光器件。LED能夠產生具有高亮度的光，使得LED已經廣泛作為用于顯示裝置、車輛、或者照明裝置的光源。另外，LED能夠通過采用磷光體或者把具有各種顏色的LED相組合來呈現具有優異光效率的白色。

為了提高LED的亮度和性能，已經進行多種嘗試以改進光提取結構、有源層結構、電流分布、電極結構、以及發光二極管封裝的結構。

發明內容

實施例提供具有新穎結構的發光器件及其制造方法。

實施例提供一種能夠提高發光效率的發光器件。

根據實施例，發光器件包括：主體；絕緣層，該絕緣層位于所述主體的表面上；至少一個電極，該至少一個電極位于所述絕緣層上；發光二極管，該發光二極管連接到所述電極；以及反射層，該反射層位于所述絕緣層上方。

根據實施例，制造發光器件的方法包括：在主體的表面上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成至少一個電極；在所述絕緣層和電極上方形成反射層；以及，在所述主體上形成發光二極管。

附圖說明

圖1是示出根據第一實施例的發光器件的透視圖；

圖2是沿著圖1的線A-A’截取的截面圖；

圖3是示出根據第一實施例的發光器件的頂視圖；

圖4至圖10是示出制造根據第一實施例的發光器件的方法的截面圖；

圖11是示出根據第二實施例的發光器件的頂視圖；

圖12是示出根據第三實施例的發光器件的截面圖；

圖13是示出根據第四實施例的發光器件的截面圖；

圖14是示出根據第五實施例的發光器件的透視圖；

圖15是示出根據第六實施例的發光器件的透視圖；

圖16是示出圖15的發光器件的截面圖；

圖17是示出包括根據實施例的發光器件的背光單元的透視圖；并且

圖18是示出包括根據實施例的發光器件的照明系統的透視圖。

具體實施方式

在實施例的描述中，將會理解的是，當一個層(或膜)、區域、圖案或結構被稱為在另一基板、另一層(或膜)、另一區域、另一墊、或者另一圖案“上”或“下”時，它可以“直接”或“間接”在另一基板、層(或膜)、區域、墊、或圖案上方，或者也可以存在有一個或多個中間層。將參考附圖來描述層的這種位置。

為了方便或清楚起見，附圖所示的每個層的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性繪制。另外，元件的尺寸并未完全反映真實尺寸。

在下文中，將參考附圖來描述根據實施例的發光器件及其制造方法。

<實施例1>

圖1是示出根據第一實施例的發光器件100的透視圖，而圖2是沿著圖1的線A-A’截取的截面圖。圖3是示出發光器件100的頂視圖。

參考圖1和圖3，發光器件100包括：主體10；絕緣層12，該絕緣層12形成在主體10的表面上并且包括硅氧化物(Si_xO_y)；至少一個發光二極管20，該至少一個發光二極管20設置在主體10上；第一電極31和第二電極32，該第一電極31和第二電極32設置在主體10上并且電連接到發光二極管20；以及反射層40，該反射層40的至少一部分與絕緣層12的頂表面接觸以反射從發光二極管20發射的光。

另外，如圖2所示，發光器件100還可以包括密封劑50，以密封發光二極管20和在該密封劑50上方形成的透鏡60，但本實施例不限于此。

反射層40的反射率可以根據與反射層40的下部接觸的層的材料類型而變化。詳細地，與反射層40的下部接觸的層的表面形狀或這兩個層之間的折射率的差異導致了反射層40的反射率的變化。

例如，如果反射層40包括其中Ti和Ag被順序地堆疊的Ti/Ag層，絕緣層12包括SiO₂，并且第一電極31和第二電極32包括其中Ti、Cu、Ni、Au被順序地堆疊的Ti/Cu/Ni/Au層，則與絕緣層12接觸該反射層40的下部時相比，當第一電極31和第二電極32接觸該反射層40的下部時，反射層40呈現較低的反射率。換句話說，與Au接觸該反射層40的下部時相比，當SiO₂與反射層40的下部接觸時，反射層40呈現較高的反射率。