[發明專利]發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010592971.1
• 申請日: 2010-12-14
• 公開（公告）號: CN102117878A
• 公開（公告）日: 2011-07-06
• 發明（設計）人: 元晶敏
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 陸弋;王偉

1.一種發光器件，包括：

主體；

絕緣層，所述絕緣層位于所述主體的表面上；

至少一個電極，所述至少一個電極位于所述絕緣層上；

發光二極管，所述發光二極管連接到所述電極；以及

反射層，所述反射層位于所述絕緣層上方，

其中，所述反射層包括位于所述電極上方的第一區域和位于所述絕緣層上方的第二區域。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述絕緣層包括Si_xO_y。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中，與所述反射層形成在所述電極上方時相比，當所述反射層形成在所述絕緣層上方時，所述反射層呈現較高的反射率。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述反射層具有由Ti和Ag堆疊而成的堆疊結構。

5.根據權利要求4所述的發光器件，其中，所述電極的最上層包括Au。

6.根據權利要求5所述的發光器件，其中，所述電極具有由Ti、Cu、Ni和Au堆疊而成的堆疊結構。

7.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述主體內設置有腔體。

8.根據權利要求7所述的發光器件，其中，所述電極包括電極主體部和延伸部，所述延伸部設置在所述腔體中同時從所述電極主體部突出，并且，所述反射層形成在所述延伸部和所述絕緣層上方。

9.根據權利要求7所述的發光器件，其中，所述電極形成在所述腔體的外部，并且，所述反射層形成在所述腔體的內部和外部以將所述電極電連接到所述發光二極管。

10.根據權利要求8所述的發光器件，其中，所述發光二極管通過導電連接構件電連接到所述延伸部。

11.根據權利要求9所述的發光器件，其中，所述發光二極管通過導電連接構件電連接到所述反射層。

12.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述反射層包括彼此分離的多個反射層。

13.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述反射層的所述第二區域大于所述反射層的所述第一區域。

14.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述反射層與所述絕緣層之間的接觸面積相當于所述主體的頂表面面積的5％至100％。

15.一種照明系統，包括：

基板；以及

發光模塊，所述發光模塊包括根據權利要求1至14中的一項所述的發光器件。