[發(fā)明專利]限制競爭RAM鎖存器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010592867.2 | 申請日： | 2010-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN102055463A | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李夏禹 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京大學(xué) |
| 主分類號： | H03K19/0944 | 分類號： | H03K19/0944 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人： | 王瑩 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 限制 競爭 ram 鎖存器 | ||
1.一種限制競爭RAM鎖存器，包括靜態(tài)單時鐘負(fù)載管鎖存器SSTCL鎖存器，其特征在于，還包括與所述SSTCL鎖存器的PMOS管MP4并聯(lián)的兩個PMOS管MP8和MP10，以及與所述SSTCL鎖存器的另一PMOS管MP5并聯(lián)的另外兩個PMOS管MP9和MP11，其中所述PMOS管MP8和MP10串聯(lián)，所述PMOS管MP9和MP11串聯(lián)。
2.如權(quán)利要求1所述的限制競爭RAM鎖存器，其特征在于，所述SSTCL鎖存器為n型鎖存器。
3.如權(quán)利要求1或2所述的限制競爭RAM鎖存器，其特征在于，還包括作為時鐘負(fù)載的NMOS管MN1，所述NMOS管MN1的一端接地，另一端通過NMOS管MN2和MN3分別與所述PMOS管MP8和MP9連接。
4.一種限制競爭RAM鎖存器，包括SSTCL鎖存器，其特征在于，所述RAM鎖存器還包括與所述SSTCL鎖存器的NMOS管MN6并聯(lián)的兩個NMOS管MN8和MN10，以及與所述SSTCL鎖存器的另一NMOS管MN7并聯(lián)的另外兩個NMOS管MN9和MN11，其中所述NMOS管MN8和MN10串聯(lián)，所述NMOS管MN9和MN11串聯(lián)。
5.如權(quán)利要求4所述的限制競爭RAM鎖存器，其特征在于，所述SSTCL鎖存器為p型鎖存器。
6.如權(quán)利要求4或5所述的限制競爭RAM鎖存器，其特征在于，還包括作為時鐘負(fù)載的PMOS管MP1，所述PMOS管MP1的一端接電源，另一端通過PMOS管MP2和MP3分別與所述NMOS管MN8和MN9連接。
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