[發(fā)明專利]一種在單塊芯片上集成高性能器件與低功耗器件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010592833.3
• 申請(qǐng)日: 2010-12-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102104027A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 臧松干;王鵬飛;張衛(wèi)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/84
• 分類號(hào): H01L21/84;H01L21/265
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種在單塊芯片上集成碰撞電離場(chǎng)效應(yīng)晶體管與隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于具體步驟包括：

提供一個(gè)絕緣體上的硅襯底；

第一次離子注入，形成具有第一種摻雜類型的摻雜區(qū)；

第二次離子注入，形成具有第二種摻雜類型的摻雜區(qū)；

淀積第一層光刻膠，并光刻形成圖形；

第三次離子注入，形成具有第二種摻雜類型的摻雜區(qū)；

剝除第一層光刻膠；

淀積第二層光刻膠，并光刻形成圖形；

刻蝕硅層，形成器件的源區(qū)與溝道區(qū)部分；

剝除第二層光刻膠；

形成第一層絕緣薄膜；

形成第一層導(dǎo)電薄膜；

刻蝕所述第一層絕緣薄膜、第一層導(dǎo)電薄膜形成器件的柵極結(jié)構(gòu)；

淀積第三層光刻膠，并光刻形成圖形；

刻蝕部分所述具有第一種摻雜類型的摻雜區(qū)，形成器件隔離結(jié)構(gòu)；

剝除第三層光刻膠；

形成第二層絕緣薄膜，并刻蝕所述第二層絕緣薄膜形成接觸孔；

形成金屬接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一種摻雜類型為N型，所述的第二種摻雜類型為P型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一種摻雜類型為P型，所述的第二種摻雜類型為N型。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一層絕緣薄膜為SiO₂，或者為Ta₂O₅、Pr₂O₃、TiO₂、HfO₂、Al₂O₃或ZrO₂，其厚度范圍為2-20納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一層導(dǎo)電薄膜為TiN、TaN、RuO₂、Ru、WSi合金或者為摻雜的多晶硅材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第二層絕緣薄膜為氧化硅或者為氮化硅，其厚度范圍為50-500納米。