[發(fā)明專利]連續(xù)直寫納米粒子溶液的掃描探針及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010591933.4 | 申請日: | 2010-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN102565460A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 彭倍 | 申請(專利權(quán))人: | 彭倍 |
| 主分類號: | G01Q60/38 | 分類號: | G01Q60/38;B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司: | 成都立信專利事務(wù)所有限公司 51100 | 代理人: | 江曉萍 |
| 地址: | 611731 四川省成都市高新區(qū)西源大道*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 連續(xù) 納米 粒子 溶液 掃描 探針 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微納米科學(xué)領(lǐng)域,特別與連續(xù)直寫納米粒子溶液的掃描探針及其制造方法有關(guān)。
背景技術(shù)
掃描探針刻蝕加工技術(shù)(SPL)是利用掃描探針顯微鏡進(jìn)行納米刻蝕加工而發(fā)展成的一種技術(shù)。該技術(shù)將顯微鏡作為定位的“手臂”,將安裝在顯微鏡上的掃描探針作為“筆”,通過蘸取具有化學(xué)親和力的分子在基底上“書寫”,形成穩(wěn)定的納米結(jié)構(gòu)。該技術(shù)具有高分辨率、定位準(zhǔn)確、直接書寫等優(yōu)點,在物理、化學(xué)、生物等領(lǐng)域的納米尺度研究中得到了廣泛的應(yīng)用。其中,掃描探針(筆)的設(shè)計和制造技術(shù)是SPL的關(guān)鍵。
最初的SPL技術(shù)利用原子力顯微鏡(AFM)探針(Chad?Mirkin,2000年),由于AFM探針針尖直徑可達(dá)10納米,因此刻蝕的最小線寬可達(dá)10納米左右。SPL技術(shù)的優(yōu)點是分辨率極高,但瓶頸是需要不斷地蘸取書寫分子溶液,無法刻蝕面積很大或者較復(fù)雜的圖形。2008年,Andre?Meister等人發(fā)明了一種內(nèi)置微通道的掃描探針(US?Patent?20080302960A1),在掃描探針針尖處打微型孔,并由內(nèi)置的微通道連通到芯片上的貯液槽。通過將貯液槽中的分子溶液源源不斷輸送到針尖口,實現(xiàn)連續(xù)直寫,解決了需不斷蘸取書寫液的問題。但該技術(shù)也存在致命的缺陷:完全改變了分子溶液的傳輸機(jī)理,無法達(dá)到SPL所需的分辨率,也就失去了納米刻蝕的意義。SPL技術(shù)是通過AFM針尖和基底之間形成納米厚的氣液向界面,利用分子運動從濃度高向濃度低處遷移的原理,使針尖上的分子遷移到基底上,形成分子自組裝。而打孔后,分子溶液直接接觸基底,形成大的液滴,分辨率大大降低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了提供一種既具有AFM探針的書寫分辨率,又可實現(xiàn)分子溶液的傳輸,能解決SPL技術(shù)瓶頸的連續(xù)直寫納米粒子溶液的掃描探針。本發(fā)明的另一個目的是為了提供這種掃描探針的制造方法。
本發(fā)明的目的是這樣來實現(xiàn)的:
本發(fā)明連續(xù)直寫納米粒子溶液的掃描探針,包括有探針針尖和懸臂梁的硅基底,位于探針針尖周邊與探針針尖之間有環(huán)形針尖微通道從而與探針針尖形成火山口式結(jié)構(gòu)的環(huán)形外殼,探針針尖頂端伸出環(huán)形外殼外,懸臂梁遠(yuǎn)離探針針尖的一端上有貯液槽,位于懸臂梁內(nèi)的輸送微通道的兩端分別與環(huán)形針尖微通道、貯液槽連通,探針針尖頂端直徑為16~22nm,探針針尖頂端直徑為16~22nm米,保證了納米刻蝕的分辨率,貯液槽使分子溶液通過毛細(xì)力輸送到探針針尖火山口,實現(xiàn)分子溶液的連續(xù)供給。
上述的探針針尖頂端伸出環(huán)形外殼0.8~1.2mm,環(huán)形外殼壁厚480~520nm,環(huán)形針尖微通道間隙為480~520nm,輸送微通道的直徑為0.8~1.2mm。
上述的探針針尖頂端直徑為20nm且伸出環(huán)形外殼1μm,環(huán)形外殼壁厚500nm,環(huán)形針尖微通道間隙為500nm,輸送微通道的直徑為1mm。
上述的貯液槽形狀為梯形。
本發(fā)明方法包括如下步驟:
1)在硅基底上利用KOH溶液刻蝕出掃描探針針尖原型,再氧化針尖,刻蝕氧化層使針尖銳化,使針尖直徑達(dá)到16—22nm;
2)在硅基底上依次分別沉積:
(1)0.25—0.30mm氮化硅薄膜,并刻蝕一個開口以備使其與背面貯液槽連通;
(2)0.4—0.5mm二氧化硅犧牲層;
(3)0.25—0.5mm氮化硅薄膜;
???????3)在掃描探針左側(cè)部分刻蝕出微通道開口,然后利用CF4溶液刻蝕氧化硅犧牲層,形成微通道;
???????4)在微通道開口兩端沉積一層0.25~0.35μm的氮化硅薄膜,將微通道開口密封;
???????5)刻蝕微通道開口處多余氮化硅薄膜,在KOH溶液中,利用各向異性刻蝕技術(shù)在硅基底背面刻蝕出貯液槽,即成。
工作時,分子溶液通過毛細(xì)力能夠從硅基底上貯液槽通過探針針尖和環(huán)形外殼間環(huán)形針尖微通道輸送到針尖附近,在環(huán)形外殼邊緣即停止,這樣保證了溶液不會直接流到硅基底上。分子是通過遷移作用從探針針尖遷移到硅基底,形成自組裝層,這樣保證了刻蝕的分辨率。采用多個本發(fā)明探針便可形成納米刻蝕掃描探針陳列芯片。
本發(fā)明納米刻蝕掃描探針具有以下優(yōu)點。
(1)通過懸臂梁內(nèi)置微通道將火山口式針尖和硅基底貯液槽連通,實現(xiàn)了連續(xù)供給溶液,在硅基底上進(jìn)行連續(xù)直接書寫;
(2)書寫分辨率高,其書寫的納米線條寬度為30nm左右;
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G01Q 掃描探針技術(shù)或設(shè)備;掃描探針技術(shù)的應(yīng)用,例如,掃描探針顯微術(shù)[SPM]
G01Q60-00 特殊類型的SPM [掃描探針顯微術(shù)]或其設(shè)備;其基本組成
G01Q60-02 .多個類型SPM,即包括兩種或更多種SPM技術(shù)
G01Q60-10 .STM [掃描隧道顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如STM探針
G01Q60-18 .SNOM [掃描近場光學(xué)顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如,SNOM探針
G01Q60-24 .AFM [原子力顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如AFM探針
G01Q60-44 .SICM [掃描離子電導(dǎo)顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如SICM探針





