[發明專利]一種仿芝麻石凹凸網紋陶瓷的制造方法

有效

• 申請號: 201010590233.3
• 申請日: 2010-12-07
• 公開（公告）號: CN102001866A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 陳樹波;陳佩娟
• 申請（專利權）人: 陳佩娟
• 主分類號: C04B41/86
• 分類號: C04B41/86
• 代理公司: 汕頭市高科專利事務所 44103
• 代理人: 王少明

1.一種仿芝麻石凹凸網紋陶瓷的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

A.按重量百分比配制含二氧化錫11～13％，二氧化鋯78～82％，氧化鎳4～6％，氧化鈷2～4％的第一色基材料，按第一色基材料重量的50～60％加水研磨，按第一色基材料和透明基礎釉重量比20∶100的比例將研磨后的第一色基材料與透明基礎釉混合，加水配成總含固量50～52％的第一釉漿；

B.按重量百分比配制含氧化鈷14～16％，氧化鎳9～11％，三氧化二鉻14～16％，氧化鐵18～22％，二氧化錳38～42％的第二色基材料，按第二色基材料重量的50～60％加水研磨，按第二色基材料和透明基礎釉重量比20∶100的比例將研磨后的第二色基材料與透明基礎釉混合，加水配成總含固量50～52％的第二釉漿；

C.按重量百分比配制含二氧化錫11～13％，二氧化鋯68～72％，氧化鎳2～4％，氧化銻9～11％的第三色基材料，按第三色基材料重量的50～60％加水研磨，按第三色基材料和透明基礎釉重量比20∶100的比例將研磨后的第三色基材料與透明基礎釉混合，加水配成總含固量50～52％的第三釉漿；

D.按重量百分比配制含三氧化二硼38～42％，氧化鈣28～32％，氧化鍶14～16％，氧化鋅14～16％的第四色基材料，按第四色基材料重量的50～60％加水研磨，按第四色基材料和透明基礎釉重量比20∶100的比例將研磨后的第四色基材料與透明基礎釉混合，加水配成總含固量50～52％的第四釉漿；

E.在陶瓷坯體上施第一釉漿，自然干燥0.5～1小時后施第二釉漿，再自然干燥1～1.5小時后施第三釉漿，再自然干燥1～1.5小時后施第四釉漿，第一釉漿、第二釉漿、第三釉漿和第四釉漿的用量之比為1∶0.55～0.65∶0.35～0.45∶0.14～0.18；

F.施釉后的陶瓷坯體進行燒制：在200～800℃時每小時升溫180～200℃，800～1100℃時每小時升溫90～100℃，1100～1260℃時每小時升溫50～60℃，到達1260～1270℃時停火降溫，冷卻后陶瓷坯體成為仿芝麻石凹凸網紋陶瓷制品。

2.根據權利要求1所述仿芝麻石凹凸網紋陶瓷的制造方法，其特征在于，在步驟A中，第一色基材料的重量百分含量為二氧化錫12％，二氧化鋯80％，氧化鎳5％，氧化鈷3％。

3.根據權利要求1所述仿芝麻石凹凸網紋陶瓷的制造方法，其特征在于，在步驟B中，第二色基材料重量百分含量為氧化鈷15％，氧化鎳10％，三氧化二鉻15％，氧化鐵20％，二氧化錳40％。

4.根據權利要求1所述仿芝麻石凹凸網紋陶瓷的制造方法，其特征在于，在步驟C中，第三色基材料的重量百分含量為二氧化錫10％，二氧化鋯70％，氧化鎳3％，氧化銻10％。

5.根據權利要求1所述仿芝麻石凹凸網紋陶瓷的制造方法，其特征在于，在步驟D中，第四色基材料的重量百分含量為三氧化二硼40％，氧化鈣30％，氧化鍶15％，氧化鋅15％。

6.根據權利要求1所述仿芝麻石凹凸網紋陶瓷的制造方法，其特征在于，在步驟E中，第一釉漿、第二釉漿、第三釉漿和第四釉漿的用量之比為1∶0.6∶0.4∶0.18。

7.根據權利要求1所述仿芝麻石凹凸網紋陶瓷的制造方法，其特征在于，在步驟F中，燒制過程在溫度為800～900℃時，采用還原方式燒制，此外的其它溫度范圍采用氧化方式燒制。