[發(fā)明專利]一種混合集成電路模塊及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010590161.2
• 申請日: 2010-12-15
• 公開（公告）號: CN102157498A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳華夏;劉勁松;王華;洪火烽;周慶紅;王笑妍;雷雅琴
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽華東光電技術(shù)研究所
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/06;H01L25/16;H01L21/50
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• 代理人: 暫無信息

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明屬于混合集成電路模塊，特別是其制作過程主要利用了厚膜及裸芯片互連技術(shù)的厚膜混合集成電路模塊。

【背景技術(shù)】

目前國內(nèi)的混合集成電路多使用傳統(tǒng)的PCB板及分立器件制作而成，電路的集成度較低，且電路的面積、體積較大，穩(wěn)定性相對較差。隨著厚薄膜技術(shù)的飛速發(fā)展，制作高密度、高可靠性、良好特性及小尺寸的新型電子器件已成為必然趨勢。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之一在于提供一種利用厚膜及裸芯片互連技術(shù)制作的混合集成電路模塊，將原使用分立器件的電路制作成模塊，實現(xiàn)體積小、性能好、可靠性高的目的。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之二在于提供一種所述混合集成電路模塊的制作方法。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題之一的：一種混合集成電路模塊，由利用厚膜工藝制作而成的陶瓷電路基板、金屬殼體、殼體配套蓋板以及混合集成電路需要的分立器件組成，陶瓷電路基板固定在金屬殼體中，分立器件固定在陶瓷電路基板上，殼體配套蓋板蓋在裝有陶瓷電路基板的金屬殼體上。

所述分立器件包括裸芯片、電容。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題之二的：一種制造混合集成電路模塊的方法，包括下述步驟：

步驟1：首先利用PCB版圖設(shè)計軟件設(shè)計電路的電路版圖，利用厚膜工藝制作陶瓷電路基板；

步驟2：對制作完成的陶瓷電路基板進行通斷測試，對測試合格的陶瓷電路基板進行清洗，然后在干燥箱中烘干，干燥箱溫度為80℃～120℃之間，時間10～25分鐘，利用錫焊膏將陶瓷電路基板利用再流焊爐焊接到金屬殼體中，對焊接好陶瓷電路基板的金屬殼體再進行清洗，去除在焊接過程中產(chǎn)生的污物，確保陶瓷電路基板的金屬殼體的干凈，然后在干燥箱中烘干，干燥箱溫度為80℃～120℃之間，時間10～25分鐘；

步驟3：對分立器件進行篩選，利用貼片機設(shè)備，采用導(dǎo)電環(huán)氧膠將各分立器件粘接到陶瓷電路基板的對應(yīng)位置上，并利用真空烘箱進行高溫固化，固化溫度為100℃～150℃之間，固化時間1～2小時；

步驟4：待分立器件固化后，對粘有分立器件的陶瓷電路基板及金屬殼體進行等離子清洗，等離子清洗功率500W，時間1～3分鐘，改善裸芯片、陶瓷電路基板以及金屬殼體管腳引線上焊盤的表面性能，使其更易進行金絲鍵合；選用規(guī)格為25μm的金絲先進行裸芯片與陶瓷電路基板之間的金絲鍵合，然后實現(xiàn)金屬殼體的管腳引線和陶瓷電路基板之間的互連，完成整個電路模塊的互連；

步驟5：對互連后的模塊進行電性能測試，電測試合格的模塊利用平行縫焊設(shè)備進行氣密性封焊，將裝有陶瓷電路基板的金屬殼體以及配套金屬蓋板封焊，再對模塊進行電測試，電測試合格后，針對模塊進行氣密性檢測、環(huán)境試驗，最終測試合格的模塊入庫。

其中步驟2中兩次烘干的溫度均為100℃，時間均為20分鐘。

其中步驟2中錫焊膏成份為Sn62Pb36Ag2，熔點為179℃。

其中步驟3中固化溫度為120℃，時間為2小時。

本發(fā)明的優(yōu)點是：

1、該混合集成電路模塊與傳統(tǒng)的電路相比，體積小，重量輕，為整個系統(tǒng)減小體積、重量提供了空間；

2、該混合集成電路模塊采用全金屬管殼封裝，完全與外界環(huán)境隔離，模塊具有較高可靠性、穩(wěn)定性，在實際中有廣泛的應(yīng)用前景。

【附圖說明】

圖1為本發(fā)明一種混合集成電路模塊外形結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明一實施例的電路原理框圖。

圖3為本發(fā)明一實施例的電路原理示意圖。

圖4為本發(fā)明一實施例的電路板布局示意圖。

圖5為本發(fā)明一實施例的引腳定義示意圖

【具體實施方式】

下面參照附圖結(jié)合實施例對本發(fā)明作進一步的描述，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實施，但所舉實施例不作為對本發(fā)明的限定。

請參閱圖1所示，該混合集成電路模塊由利用厚膜工藝制作而成的陶瓷電路基板1、金屬殼體2、殼體配套蓋板3以及混合集成電路需要的分立器件組成。分立器件包括裸芯片、電容等。

陶瓷電路基板1固定在金屬殼體2中，分立器件固定在陶瓷電路基板1上，殼體配套蓋板3蓋在裝有陶瓷電路基板1的金屬殼體2上。

該混合集成電路模塊的具體制作方法包括下述步驟：

步驟1：首先依據(jù)模塊性能最優(yōu)化的原則，利用PCB版圖設(shè)計軟件設(shè)計電路的電路版圖，版圖包括電路的導(dǎo)線層、印刷電阻層、背面金屬層，利用厚膜工藝制作陶瓷電路基板1；