[發明專利]一種在晶圓級封裝的塑封工序中避免晶圓破損的方法

有效

• 申請號: 201010590130.7
• 申請日: 2010-12-07
• 公開（公告）號: CN102543767A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 黃平;吳瑞生;陳益;段磊;陳偉;鮑利華
• 申請（專利權）人: 萬國半導體(開曼)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種避免晶圓塑封工序中晶圓破損的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：提供一晶圓，晶圓的正面包含有多顆以劃片槽相互界定邊界的芯片；

步驟2：沿劃片槽切割晶圓以形成位于劃片槽處的切割槽；

步驟3：于晶圓的正面繞著晶圓的邊緣進行研磨，形成環繞在晶圓邊緣處的凹陷于晶圓正面的一環形研磨槽；

步驟4：進行塑封工藝，于晶圓的正面塑封晶圓并形成覆蓋在晶圓正面的塑封料。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟：

步驟5：研磨塑封料以減薄塑封料的厚度；

步驟6：于晶圓背面進行研磨以減薄晶圓的厚度，并于減薄后的晶圓的背面外露出切割槽；

步驟7：沿切割槽對晶圓及塑封料進行切割，形成多顆以塑封體塑封包覆所述芯片的晶圓級封裝體。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在對晶圓的邊緣進行研磨過程中，形成的所述研磨槽的深度大于所述切割槽的深度。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，任一芯片的頂部均設置有連接芯片內部電路的多個焊墊以及凸出于晶圓正面的多個凸點電極；并且

凸點電極與焊墊通過設置在芯片頂部的金屬互聯層而電性連接。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，進行塑封工藝過程中，利用所述塑封料塑封包覆所述凸點電極。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，在研磨塑封料的過程中，將所述凸點電極從塑封料中予以外露。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，在完成研磨塑封料之后，還包括在外露于塑封料的凸點電極上進行植球和回流的步驟。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，在植球前還包括在外露于塑封料的凸點電極上電鍍一層底層金屬的步驟。

9.如權利要求4所述的方法，其特征在于，完成晶圓背面的研磨后，芯片的底面形成于減薄后的晶圓的背面，并進一步在芯片的底面進行以下工藝步驟：

進行刻蝕；

進行離子注入及激光退火；

進行金屬蒸鍍以形成位于芯片底面上連接芯片內部電路的底部金屬層。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述底部金屬層包括以下工藝步驟：

所述金屬蒸鍍形成位于減薄后的晶圓的背面上的一層金屬膜；并

進行干膜工藝，通過對粘貼于金屬膜上的干膜進行光刻，利用光刻后的干膜作為掩膜刻蝕金屬膜，僅保留位于芯片底面上的金屬膜以構成所述底部金屬層。