[發(fā)明專利]一種在晶圓級(jí)封裝的塑封工序中避免晶圓破損的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010590130.7 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102543767A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃平;吳瑞生;陳益;段磊;陳偉;鮑利華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 萬國半導(dǎo)體(開曼)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/50 | 分類號(hào): | H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 英屬西印度群島開曼群島大開曼島K*** | 國省代碼: | 開曼群島;KY |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶圓級(jí) 封裝 塑封 工序 避免 破損 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般涉及一種晶圓級(jí)封裝體的制備方法,更確切的說,本發(fā)明涉及一種在晶圓級(jí)封裝體的制備過程中,避免晶圓在其晶圓級(jí)封裝的塑封工序中破損的方法。
背景技術(shù)
不同于傳統(tǒng)的芯片封裝方式,晶圓級(jí)封裝WLCSP(Wafer?Level?ChipScale?Packaging)是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測(cè)試,然后才切割成一個(gè)個(gè)的IC顆粒,因此封裝后的封裝體的體積即幾乎等同于裸芯片的原尺寸。
通常,通過切割晶圓(Wafer?Saw)以將諸多芯片(Die)從晶圓上分離,此過程中切割刀的切割線路是依賴于布置在晶圓上的劃片槽(Scribe?Line)。
在晶圓級(jí)封裝的塑封工藝中,塑封料的起始狀態(tài)為液態(tài)或加熱后為液態(tài)并在冷卻后進(jìn)行固化。為了保障注塑于晶圓表面的塑封料具有預(yù)定的塑封密度,液態(tài)的塑封料在塑封模具內(nèi)必須具有一定的注塑壓力,然而,劃片槽的存在所帶來的問題是,固化前具有流動(dòng)性的塑封料易于從劃片槽中溢出,產(chǎn)生位于晶圓邊緣處的溢膠(Molding?Bleeding),如果外溢的塑封料將晶圓和塑封模具的夾具黏接在一起,則晶圓在完成塑封后,一旦將夾具與晶圓進(jìn)行分離就會(huì)導(dǎo)致晶圓的破損。并且,由于部分塑封料從晶圓的劃片槽中溢出,余下的塑封料則不足以完全覆蓋晶圓的正面,或是其塑封密度較低。
另一方面,在當(dāng)前的晶圓級(jí)封裝的塑封工藝中,塑封模具的環(huán)形夾具按壓在晶圓正面的邊緣處,并用來固定晶圓,塑封完成后環(huán)形夾具與晶圓分離。如此,則晶圓正面的邊緣部分仍然是裸露的而沒有被塑封料覆蓋,在隨后的晶圓減薄時(shí),該邊緣部分極易破碎,并影響鄰近晶圓邊緣處的正常芯片。
專利號(hào)為US6107164的美國專利公開了一種晶圓級(jí)封裝的半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法,其制作流程參見本申請(qǐng)附圖1A-1D(分別引用原申請(qǐng)附圖3B、3D、4B、4C),這種方法是制作晶圓級(jí)封裝體的例子。產(chǎn)品的電極4是在晶圓10上的焊墊2上制作的,電極4與焊墊2通過銅互連線3連接。帶有凸點(diǎn)電極4的晶圓10表面完全被樹脂23包封起來,對(duì)樹脂23拋光直到凸點(diǎn)電極4暴露出來并在凸點(diǎn)電極4上植球。之后,再按照之前的切割槽22將塑封好的晶圓10進(jìn)行切割分離,形成晶圓級(jí)封裝體1。此過程中,樹脂23完全固化前為液態(tài)并具有流動(dòng)性,易于從切割槽22中溢出,如果溢出的樹脂將晶圓10和塑封模具的夾具黏接,則晶圓10和夾具分離即導(dǎo)致晶圓10破損。并且,總量減少的樹脂23難以完全覆蓋晶圓10。該專利所公開的技術(shù)方案無法避免晶圓10在其塑封工序中易于破損的缺陷。
公開號(hào)為US20080044984的美國專利申請(qǐng)公開了一種背面發(fā)光器件工藝。在一種方法中,其制作流程參見本申請(qǐng)附圖2A-2D(分別引用原申請(qǐng)附圖4A、4B、4C、4D)。在將晶圓2和承載基板4粘接前,先對(duì)晶圓2的邊緣13進(jìn)行處理,將晶圓2的邊緣13切削成一個(gè)垂直的切面20,避免出現(xiàn)鋒利的邊緣。在另外一種方法里,晶圓的邊緣處理安排在晶圓粘接到承載基板之后,在研磨晶圓背面前,用研磨的方法先去掉晶圓邊緣處與承載基板粘接不好的部分。該專利申請(qǐng)的技術(shù)方案在于處理晶圓邊緣與承載基板之間的粘附不佳的問題,但不涉及在晶圓級(jí)封裝中對(duì)晶圓進(jìn)行塑封的工藝。
我們所關(guān)注的領(lǐng)域:晶圓級(jí)封裝的塑封工藝中,在減少塑封料溢出、預(yù)防晶圓破損,以及在解決晶圓的邊緣不完全被塑封料覆蓋的問題上,上述專利申請(qǐng)的方案或是當(dāng)前已有的技術(shù)均難以有效的對(duì)其作出改善。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題,本發(fā)明提出了一種避免晶圓塑封工序中晶圓破損的方法,包括以下步驟:
提供一晶圓,晶圓的正面包含有多顆以劃片槽相互界定邊界的芯片;
沿劃片槽切割晶圓以形成位于劃片槽處的切割槽;
于晶圓的正面繞著晶圓的邊緣進(jìn)行研磨,形成環(huán)繞在晶圓邊緣處的凹陷于晶圓正面的一環(huán)形研磨槽;
進(jìn)行塑封工藝,于晶圓正面塑封晶圓并形成覆蓋晶圓正面的塑封料。
上述的方法,還包括以下步驟:
研磨塑封料以減薄塑封料的厚度;
于晶圓背面進(jìn)行研磨以減薄晶圓的厚度,并于減薄后的晶圓的背面外露出切割槽;
沿切割槽對(duì)晶圓及塑封料進(jìn)行切割,形成多顆以塑封體塑封包覆所述芯片的晶圓級(jí)封裝體。
上述的方法,在對(duì)晶圓的邊緣進(jìn)行研磨過程中,形成的所述研磨槽的深度大于所述劃片槽的深度。
上述的方法,任一芯片的頂部均設(shè)置有連接芯片內(nèi)部電路的多個(gè)焊墊以及凸出于晶圓正面的多個(gè)凸點(diǎn)電極;并且
凸點(diǎn)電極與焊墊通過設(shè)置在芯片頂部的金屬互聯(lián)層而電性連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于萬國半導(dǎo)體(開曼)股份有限公司,未經(jīng)萬國半導(dǎo)體(開曼)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010590130.7/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





