[發明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201010589363.5
• 申請日: 2010-12-10
• 公開（公告）號: CN102148125A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 佐佐木和男
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及等離子體處理裝置，詳細地說是涉及等離子體處理裝置的可以進行溫度調節的保護板的絕熱機構。

背景技術

在FPD(平板顯示器：Flat?Panel?Display)的制造工序中，對于FPD用的玻璃基板進行等離子蝕刻、等離子灰化、等離子成膜等多種等離子體處理。作為進行這樣的等離子體處理的裝置，已知有平行平板型等離子體處理裝置和感應耦合等離子體(ICP：Inductively?CoupledPlasma)處理裝置等。

在這里，雖然在各種等離子體處理裝置中由于等離子體的產生而使溫度上升，但是通常因為處理室內壁近旁的等離子體密度低，在處理室內出現溫度不均勻分布，由于這個溫度不均勻分布，在處理容器的內面發生反應生成物的堆積。特別是在處理大型基板的大型裝置中，由于處理容器的熱容量大，容器的表面積也大，所以容易放熱，因此在處理室內容易產生溫度不均勻分布，反應生成物的堆積變多，此外，還有對等離子體處理的面內均一性造成壞影響的憂慮。因此，在等離子體處理裝置中設置有讓載熱體在覆蓋處理容器的壁、壁面的部件上流動的流路(被稱為載熱體流路)，對處理容器的溫度進行調節。

關于所述溫度調節，例如在專利文獻1中公開了在覆蓋等離子體處理裝置的處理容器壁部設置的由導體構成的內壁板上，具有使溫度調節用媒質流動的溫調用流路、用于從處理容器外部導入溫調用媒質的導入口和用于將溫調用媒質排出處理容器外部的排出口的等離子體處理裝置。

另外，在專利文獻2中公開了在真空容器內壁裝備防著板，在該防著板主體上配置用于使溫媒流動的溫媒管和使冷媒流動的冷媒管，在氣體的吸收開始初期使溫媒流動對防著板進行加熱的真空裝置。

專利文獻1：日本特開2007-242474號公報

專利文獻2：日本特開平9-157832號公報

發明內容

但是，在現有技術的等離子體處理裝置的溫度調節機構中存在以下問題。首先，在處理室的壁本身設置載熱體流路的方法(第一方法)中，處理室的壁為了維持真空狀態而采用堅固的結構，由于處理室的壁本身的熱容量大，放熱容易，存在溫度控制較困難的問題。另外，為了調節熱容量大、放熱容易的處理室的壁本身的溫度，存在用于使載熱體在載熱體流路中流動的設備大型化，導致成本上升的問題。另外，由于載熱體流路形成在處理容器壁的一部分，在處理容器的部位產生溫度不均勻分布，由該溫度不均勻分布導致在處理容器壁產生熱應變從而使壁彎曲，開關面發生泄漏，或是回流電路變得不容易正常形成從而使放電變得不穩定。另外，在處理容器的側壁設置了溫度調節機構時，還存在著由熱傳導使處理容器的底部變高溫，在想讓下部電極為低溫時下部電極的溫度控制變得困難的問題。

另外，如專利文獻1、2所述，在覆蓋處理室的壁面的內壁板和防著板上設置載熱體流路的方法(第二方法)，與在處理室的壁本身上設置載熱體流路的第一方法相比，由于熱容量、放熱變小，在溫度調節設備能夠簡單化的同時能夠提高溫度的控制性。但是，在專利文獻1、2的方法中，處理室的壁面與內壁板、防著板之間的存在間隙，存在著在此間隙中等離子體處理生成的反應生成物堆積，和由間隙中殘留的空氣造成的真空處理的時間變長等問題。另外，還有在內壁板和處理室的壁的間隙發生異常放電(電弧放電(ア一キング))的憂慮。

另外，在專利文獻1中，內壁板被由絕緣體構成的固定部件固定在處理室的內壁，由于沒有考慮該固定部件的絕熱性，內壁板的熱通過固定部件向處理室的壁移動，受到熱容量大、放熱容易的處理容器的影響發生內壁板的溫度控制變得困難的問題。

本發明鑒于這些問題點，目的在于提供一種使溫度調節設備簡易化的同時，能夠防止在處理容器內產生附著物、電弧放電的等離子體處理裝置。

本發明的等離子體處理裝置具有形成處理被處理基板的處理室的處理容器、

設置在所述處理室內的載置所述被處理基板的載置臺、

向所述處理室內供給處理氣體的處理氣體供給裝置、

使所述處理室內處于真空狀態的排氣裝置、

在所述處理室內使所述處理氣體的等離子體生成的等離子體生成機構、

配置在所述處理容器壁內側的保護板、

對所述保護板的溫度進行調節的溫度調節機構和

緊貼安裝在所述處理容器的內壁面與所述保護板之間的遮斷或抑制這些之間的熱傳導的絕熱部件。