[發明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201010589363.5
• 申請日: 2010-12-10
• 公開（公告）號: CN102148125A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 佐佐木和男
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

形成處理被處理基板的處理室的處理容器；

設置在所述處理室內，載置所述被處理基板的載置臺；

向所述處理室內供給處理氣體的處理氣體供給裝置；

使所述處理室內處于真空狀態的排氣裝置；

在所述處理室內使所述處理氣體的等離子體生成的等離子體生成機構；

配置在所述處理容器的壁的內側的保護板；

對所述保護板的溫度進行調節的溫度調節機構；和

緊貼地安裝在所述處理容器的內壁面與所述保護板之間，遮斷或抑制所述處理容器的內壁面與所述保護板之間的熱傳導的絕熱部件。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述等離子體生成機構是具有，設置在所述處理室外側，在所述處理室內形成感應電場的天線、設置在所述天線與所述處理室之間的絕緣體壁和將高頻電力供給所述天線而在所述處理室內形成感應電場的高頻電源的感應耦合方式的等離子體生成機構。

3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

進一步具有將高頻電力供給所述載置臺而形成偏置電場的高頻電源，

所述保護板與所述處理容器電連接，作為對于所述偏置電場的陽極電極起作用。

4.如權利要求1到3任意一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

具有覆蓋所述絕熱部件的端部的露出面的一部分或全部的遮蔽部件。

5.如權利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述保護板的下端部與所述處理容器的底面接觸，所述保護板的上端部或上端部以及側端部被所述遮蔽部件覆蓋。

6.如權利要求1到3任意一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述絕熱部件具有絕熱性芯部件和被覆該絕熱性芯部件的由耐等離子體性材料構成的被覆層。

7.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述絕熱部件具有絕緣性，

所述保護板與所述處理容器不是電連接配置。

8.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述絕熱部件的厚度隨部位變化。

9.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述絕熱部件的電容率隨部位變化。

10.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述絕熱部件由電容率不同的多個部件構成。

11.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述絕熱部件具有將絕緣性部件和絕熱性部件重合的層疊結構。

12.如權利要求1到3任意一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述保護板的內部形成載熱體流路，所述溫度調節機構是設置在所述處理容器的外側使所述載熱體在所述保護板的所述流路循環的冷卻機構。