[發(fā)明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010589363.5
• 申請日: 2010-12-10
• 公開（公告）號(hào): CN102148125A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐佐木和男
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/00
• 代理公司: 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

形成處理被處理基板的處理室的處理容器；

設(shè)置在所述處理室內(nèi)，載置所述被處理基板的載置臺(tái)；

向所述處理室內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給裝置；

使所述處理室內(nèi)處于真空狀態(tài)的排氣裝置；

在所述處理室內(nèi)使所述處理氣體的等離子體生成的等離子體生成機(jī)構(gòu)；

配置在所述處理容器的壁的內(nèi)側(cè)的保護(hù)板；

對所述保護(hù)板的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)的溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)；和

緊貼地安裝在所述處理容器的內(nèi)壁面與所述保護(hù)板之間，遮斷或抑制所述處理容器的內(nèi)壁面與所述保護(hù)板之間的熱傳導(dǎo)的絕熱部件。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述等離子體生成機(jī)構(gòu)是具有，設(shè)置在所述處理室外側(cè)，在所述處理室內(nèi)形成感應(yīng)電場的天線、設(shè)置在所述天線與所述處理室之間的絕緣體壁和將高頻電力供給所述天線而在所述處理室內(nèi)形成感應(yīng)電場的高頻電源的感應(yīng)耦合方式的等離子體生成機(jī)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

進(jìn)一步具有將高頻電力供給所述載置臺(tái)而形成偏置電場的高頻電源，

所述保護(hù)板與所述處理容器電連接，作為對于所述偏置電場的陽極電極起作用。

4.如權(quán)利要求1到3任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

具有覆蓋所述絕熱部件的端部的露出面的一部分或全部的遮蔽部件。

5.如權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述保護(hù)板的下端部與所述處理容器的底面接觸，所述保護(hù)板的上端部或上端部以及側(cè)端部被所述遮蔽部件覆蓋。

6.如權(quán)利要求1到3任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述絕熱部件具有絕熱性芯部件和被覆該絕熱性芯部件的由耐等離子體性材料構(gòu)成的被覆層。

7.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述絕熱部件具有絕緣性，

所述保護(hù)板與所述處理容器不是電連接配置。

8.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述絕熱部件的厚度隨部位變化。

9.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述絕熱部件的電容率隨部位變化。

10.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述絕熱部件由電容率不同的多個(gè)部件構(gòu)成。

11.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述絕熱部件具有將絕緣性部件和絕熱性部件重合的層疊結(jié)構(gòu)。

12.如權(quán)利要求1到3任意一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述保護(hù)板的內(nèi)部形成載熱體流路，所述溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)是設(shè)置在所述處理容器的外側(cè)使所述載熱體在所述保護(hù)板的所述流路循環(huán)的冷卻機(jī)構(gòu)。