[發明專利]Ti-Ni-Hf-Cu四元高溫形狀記憶合金薄膜及其制備方法無效
| 申請號： | 201010589307.1 | 申請日： | 2010-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN102080208A | 公開（公告）日： | 2011-06-01 |
| 發明（設計）人： | 孟祥龍;傅宇東;吳冶;蔡偉 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | C23C14/16 | 分類號： | C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人： | 韓末洙 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ti ni hf cu 高溫 形狀 記憶 合金 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.Ti-Ni-Hf-Cu四元高溫形狀記憶合金薄膜，其特征在于所述Ti-Ni-Hf-Cu四元高溫形狀記憶合金薄膜由Ti、Ni、Hf和C四種元素組成，其中Ni的原子個數比為34～49％，Hf的原子個數比為10～25％，Cu的原子個數比為1～15％，其余為Ti，并且Ti原子個數和Hf原子個數之和與Ni原子個數和Cu原子個數之和的比為1.041～1.222∶1。
2.權利要求1所述Ti-Ni-Hf-Cu四元高溫形狀記憶合金薄膜的制備方法，其特征在于Ti-Ni-Hf-Cu四元高溫形狀記憶合金薄膜的制備方法如下：一、將襯底放入真空室靶臺上，采用Ti-Ni-Hf-Cu四元合金靶作為靶材，然后在濺射功率100W～600W、真空度0.1Pa～0.8Pa、靶材與襯底之間間距為4cm～9cm條件下濺射，得到薄膜；二、將步驟一得到的薄膜在450℃～750℃的條件下保溫30min～60min完成晶化，即得Ti-Ni-Hf-Cu四元高溫形狀記憶合金薄膜；步驟一中所述Ti-Ni-Hf-Cu四元合金靶中Ni的原子個數比為34～49％，Hf的原子個數比為10～25％，Cu的原子個數比為1～15％，其余為Ti，并且Ti原子個數和Hf原子個數之和與Ni原子個數和Cu原子個數之和的比為1.041～1.222∶1。
3.根據權利要求2所述的Ti-Ni-Hf-Cu四元高溫形狀記憶合金薄膜的制備方法，其特征在于步驟一中所述的襯底為Si單晶片、石英玻璃、銅箔或鋁片。
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