[發明專利]一種交流發光二極管無效
| 申請號: | 201010587006.5 | 申請日: | 2010-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN102110705A | 公開(公告)日: | 2011-06-29 |
| 發明(設計)人: | 何建波;易賢;楊新民;靳彩霞;董志江 | 申請(專利權)人: | 武漢迪源光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/44 |
| 代理公司: | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人: | 楊立 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 交流 發光二極管 | ||
技術領域
本發明涉及一種發光二極管,屬于二極管領域。
背景技術
不論是家庭、工商業或公共用電,大多以交流電(Alternating?Current,AC)的方式提供,主要是為了避免遠距離的電力傳送會有多余損耗,才采用交流電的方式輸送到使用端,故電器必須設計成交流電驅動使用,否則會因電壓不符而產生短路問題。
傳統LED皆須以直流電(Direct?Current,DC)作為驅動,因此在使用一般交流電作為電源供應的同時,必須附帶整流變壓器將AC/DC轉換,才能確保LED的正常運作。而應用上一直強調LED省電的特性,但在AC/DC轉換的過程中,其實有高達15~30%的電力耗損,使用上優勢并不明顯。
發明內容
本發明針對現有技術的不足,提供一種將AC電流經過轉換,形成DC電流輸出,并且可提升整片LED的發光效率的交流發光二極管。
本發明解決上述技術問題的技術方案如下:一種交流發光二極管,包括第一微晶粒、第二微晶粒、第三微晶粒、第四微晶粒,所述微晶粒包括襯底層、反射層、透明導電層、第一半導體層、有源層、第二半導體層和鈍化層,所述鈍化層設在微晶粒表面和側面,所述襯底層正面設有第一半導體層,所述襯底層底面設有反射層,所述透明導電層與第二半導體層連接,所述第一微晶粒的第一半導體區與第二微晶粒的第一半導體區電連接于節點A,第二微晶粒的第二半導體區與第四微晶粒的第一半導體區電連接于節點B,第四微晶粒的第二半導體區與第三微晶粒的第二半導體區電連接于節點C,第三微晶粒的第一半導體區與第一微晶粒的第二半導體區電連接于節點D,所述節點B和節點D為交流電輸入端,所述節點A與節點C電連接。
本發明的有益效果是:本發明突破了微晶粒制備技術,在單顆1平方毫米左右的面積內陣列出若干個微晶粒,晶粒間采用串并聯以提升工作電壓和電流,同時與現有市電電壓匹配,省略變壓器使用,最終提升整片LED的發光效率。
在上述技術方案的基礎上,本發明還可以做如下改進。
進一步,所述鈍化層采用絕緣材料。
進一步,所述反射層采用鋁或銀,或多層交替的高折射率Ti3O5和低折射率SiO2材料組成的周期結構層加鋁或銀。
進一步,所述節點A與節點C通過由金屬電極或若干個相互串聯的微晶粒組成的微晶粒組電連接;所述微晶粒組中,相鄰兩個微晶粒之間通過其中一個微晶粒的第一半導體區與另一個微晶粒的第二半導體區電連接;所述節點C與所述微晶粒組中與其相連的微晶粒的第一半導體區電連接,所述節點A與所述微晶粒組中與其相連的微晶粒的第二半導體區電連接。
采用進一步的有益效果是,串聯微晶粒可提升工作電壓。
進一步,所述第一半導體區為P區,所述第二半導體區為N區。
進一步,所述第一半導體區為N區,所述第二半導體區為P區。
附圖說明
圖1為本發明所述實施例1的電路圖;
圖2為本發明所述實施例1的原理圖;
圖3為本發明所述實施例2的原理圖;
圖4為本發明所述的發光二極管的微晶粒結構圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本發明的原理和特征進行描述,所舉實例只用于解釋本發明,并非用于限定本發明的范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





