[發明專利]一種交流發光二極管無效
| 申請號: | 201010587006.5 | 申請日: | 2010-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN102110705A | 公開(公告)日: | 2011-06-29 |
| 發明(設計)人: | 何建波;易賢;楊新民;靳彩霞;董志江 | 申請(專利權)人: | 武漢迪源光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/44 |
| 代理公司: | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人: | 楊立 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 交流 發光二極管 | ||
1.一種交流發光二極管,包括第一微晶粒、第二微晶粒、第三微晶粒、第四微晶粒,所述微晶粒包括襯底層、反射層、透明導電層、第一半導體層、有源層、第二半導體層和鈍化層,所述鈍化層設在微晶粒表面和側面,所述襯底層正面設有第一半導體層,所述襯底層底面設有反射層,所述透明導電層與第二半導體層連接,其特征在于,所述第一微晶粒的第一半導體區與第二微晶粒的第一半導體區電連接于節點A,第二微晶粒的第二半導體區與第四微晶粒的第一半導體區電連接于節點B,第四微晶粒的第二半導體區與第三微晶粒的第二半導體區電連接于節點C,第三微晶粒的第一半導體區與第一微晶粒的第二半導體區電連接于節點D,所述節點B和節點D為交流電輸入端,所述節點A與節點C電連接。
2.根據權利要求1所述的發光二極管,其特征在于,所述鈍化層采用絕緣材料。
3.根據權利要求1所述的發光二極管,其特征在于,所述反射層采用鋁或銀,或多層交替的Ti3O5和SiO2材料組成的周期結構層加鋁或銀。
4.根據權利要求1所述的發光二極管,其特征在于,所述節點A與節點C通過由金屬電極或若干個相互串聯的微晶粒組成的微晶粒組電連接;所述微晶粒組中,相鄰兩個微晶粒之間通過其中一個微晶粒的第一半導體區與另一個微晶粒的第二半導體區電連接;所述節點C與所述微晶粒組中與其相連的微晶粒的第一半導體區電連接,所述節點A與所述微晶粒組中與其相連的微晶粒的第二半導體區電連接。
5.根據權利要求1至4任意項所述的發光二極管,其特征在于,所述第一半導體區為P區,所述第二半導體區為N區。
6.根據權利要求1至4任意項所述的發光二極管,其特征在于,所述第一半導體區為N區,所述第二半導體區為P區。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





