[發(fā)明專利]半導(dǎo)體組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010585300.2
• 申請(qǐng)日: 2010-12-03
• 公開（公告）號(hào): CN102376763A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 侯永清;魯立忠;林學(xué)仕;田麗鈞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體上是有關(guān)于一種集成電路制造工藝，且特別是有關(guān)于一種金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)組件的接觸窗插塞(plug)的形成方法。

背景技術(shù)

金屬氧化物半導(dǎo)體組件是眾所皆知的集成電路組件。MOS組件包含源極、漏極以與柵極。其中源極與漏極區(qū)是形成于主動(dòng)區(qū)內(nèi)，而柵極形成于主動(dòng)區(qū)的正上方上，且通過(guò)柵介電質(zhì)與主動(dòng)區(qū)分離。眾所皆知為內(nèi)層介電質(zhì)(ILD)的介電層形成于MOS組件上，接觸窗插塞是形成于內(nèi)層介電質(zhì)中且電性連接至源極、漏極與柵極。在傳統(tǒng)工藝中，柵接觸窗插塞形成于各自主動(dòng)區(qū)的正上方的區(qū)域之外，以及形成于鄰接于各自的主動(dòng)區(qū)的絕緣區(qū)的正上方。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一目的就是在提供一種半導(dǎo)體組件，其接觸窗插塞位于主動(dòng)區(qū)的正上方，因此接觸窗插塞可不占據(jù)額外的芯片區(qū)域，故可降低半導(dǎo)體組件的尺寸。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提供一半導(dǎo)體組件，其包含半導(dǎo)體基板。半導(dǎo)體基板包含主動(dòng)區(qū)、位于主動(dòng)區(qū)的正上方的柵電極、以及位于柵電極上且電性耦合至柵電極的柵接觸窗插塞。柵接觸窗插塞包含至少一部分位于主動(dòng)區(qū)的正上方，且與主動(dòng)區(qū)垂直重疊。

亦揭露了其它實(shí)施例。

根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供一種半導(dǎo)體組件，包含：一半導(dǎo)體基板，包含一第一主動(dòng)區(qū)；一第一淺溝槽隔離區(qū)，位于該半導(dǎo)體基板中且鄰接于該第一主動(dòng)區(qū)；以及一第一金屬氧化物半導(dǎo)體組件，包含：一第一金屬柵電極，位于該第一主動(dòng)區(qū)的正上方上；一第一源極/漏極區(qū)，位于第一主動(dòng)區(qū)中且位于該第一金屬柵電極的一側(cè)上；以及一第一柵接觸窗插塞，位于該第一金屬柵電極上且電性耦合至該第一金屬柵電極，其中該第一金屬柵接觸窗插塞包含至少一部分位于該第一主動(dòng)區(qū)的正上方上，且垂直重疊該第一主動(dòng)區(qū)。

根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，提供一種半導(dǎo)體組件，包含：一半導(dǎo)體基板，包含一主動(dòng)區(qū)；一淺溝槽隔離區(qū)，位于該半導(dǎo)體基板中且鄰接該主動(dòng)區(qū)；一金屬氧化物半導(dǎo)體組件，包含：一金屬柵電極，位于該主動(dòng)區(qū)的正上方上；一源極/漏極區(qū)，位于該主動(dòng)區(qū)中，且位于該金屬柵電極的一側(cè)；一源極/漏極硅化區(qū)，位于該源極/漏極區(qū)上；以及一柵接觸窗插塞，位于該金屬柵電極上，且電性耦合至該金屬柵電極，其中該柵接觸窗插塞位于該主動(dòng)區(qū)的正上方上；一第一接觸蝕刻停止層，位于該源極/漏極硅化層上，且接觸該源極/漏極硅化層；一第一內(nèi)層介電質(zhì)，位于該第一接觸蝕刻停止層上；一第二接觸蝕刻停止層，位于該第一內(nèi)層介電質(zhì)與該第一接觸蝕刻停止層上，且接觸該第一內(nèi)層介電質(zhì)與該第一接觸蝕刻停止層；以及一第二內(nèi)層介電質(zhì)，位于該第二接觸蝕刻停止層且接觸該第二接觸蝕刻停止層，其中該柵接觸窗插塞包含一上部位于該第二中間層介電質(zhì)中、以及一下部位于該第二接觸蝕刻停止層中。

本發(fā)明的實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于，接觸窗插塞位于主動(dòng)區(qū)的正上方，就不再于各自的主動(dòng)區(qū)占據(jù)的芯片區(qū)域之外，占據(jù)額外的芯片區(qū)域，因此可降低半導(dǎo)體組件的尺寸。

附圖說(shuō)明

為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附附圖的說(shuō)明如下：

圖1A到圖7D是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的制造金屬半導(dǎo)體氧化物組件的中間步驟的剖面示意圖。

【主要組件符號(hào)說(shuō)明】

10：MOS組件?????????????????????12：半導(dǎo)體基板

14：淺溝槽隔離區(qū)????????????????16：主動(dòng)區(qū)

18：源極/漏極區(qū)?????????????????22：源極/漏極硅化區(qū)

26：柵介電質(zhì)????????????????????28：虛設(shè)柵電極

30：柵間隙壁????????????????????32：接觸蝕刻停止層

34：ILD/ILD?????????????????????136：接觸窗插塞

40：柵介電質(zhì)????????????????????42：金屬柵電極

46：接觸蝕刻停止層??????????????48：ILD2

50：接觸窗開口??????????????????52：接觸窗開口

54：柵接觸窗插塞????????????????56：源極/漏極接觸窗插塞

58：通道????????????????????????70：MOS組件

72：柵接觸窗插塞????????????????74：主動(dòng)區(qū)

具體實(shí)施方式