[發(fā)明專利]半導(dǎo)體組件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010585300.2 | 申請(qǐng)日： | 2010-12-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102376763A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 侯永清;魯立忠;林學(xué)仕;田麗鈞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/78 | 分類號(hào)： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 陳紅 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新竹市*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 組件 | ||
1.一種半導(dǎo)體組件，其特征在于，包含：
一半導(dǎo)體基板，包含一主動(dòng)區(qū)；
一柵電極，位于該主動(dòng)區(qū)的正上方上；以及
一柵接觸窗插塞，位于該柵電極上，且電性耦合至該柵電極，其中該柵接觸窗插塞包含至少一部分位于該主動(dòng)區(qū)的正上方上且垂直重疊該主動(dòng)區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，該柵電極作為一金屬氧化物半導(dǎo)體組件的一柵極，其中該柵接觸窗插塞位于該金屬氧化物半導(dǎo)體組件的一通道區(qū)的正上方上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，該柵接觸窗插塞的一第一部分位于該主動(dòng)區(qū)的正上方上，且該柵接觸窗插塞的一第二部分是位于該半導(dǎo)體基板中的一絕緣區(qū)的正上方上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，還包含一絕緣區(qū)位于該半導(dǎo)體基板中且鄰接該主動(dòng)區(qū)，其中該柵接觸窗插塞的一第一部分位于該主動(dòng)區(qū)的正上方上，該柵接觸窗插塞的一第二部分位于該絕緣區(qū)的正上方上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，還包含：
一第一內(nèi)層介電質(zhì)，具有一上表面與該柵電極的一上表面齊平；
一接觸蝕刻停止層，位于該第一內(nèi)層介電質(zhì)上；以及
一第二內(nèi)層介電質(zhì)，位于該接觸蝕刻停止層上，其中該柵接觸窗插塞包含一上部位于該第二內(nèi)層介電質(zhì)中、以及一下部位于該接觸蝕刻停止層中。
6.一種半導(dǎo)體組件，其特征在于，包含：
一半導(dǎo)體基板，包含一第一主動(dòng)區(qū)；
一第一淺溝槽隔離區(qū)，位于該半導(dǎo)體基板中且鄰接于該第一主動(dòng)區(qū)；以及
一第一金屬氧化物半導(dǎo)體組件，包含：
一第一金屬柵電極，位于該第一主動(dòng)區(qū)的正上方上；
一第一源極/漏極區(qū)，位于第一主動(dòng)區(qū)中且位于該第一金屬柵電極的一側(cè)上；以及
一第一柵接觸窗插塞，位于該第一金屬柵電極上且電性耦合至該第一金屬柵電極，其中該第一金屬柵接觸窗插塞包含至少一部分位于該第一主動(dòng)區(qū)的正上方上，且垂直重疊該第一主動(dòng)區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，還包含：
一第一接觸蝕刻停止層，位于該第一源極/漏極區(qū)上；
一第一內(nèi)層介電質(zhì)，位于該第一接觸蝕刻停止層上，且具有一上表面與該第一金屬柵電極的一上表面齊平；
一第二接觸蝕刻停止層，位于該第一內(nèi)層介電質(zhì)與該第一接觸蝕刻停止層上，且接觸該第一內(nèi)層介電質(zhì)與該第一接觸蝕刻停止層；以及
一第二內(nèi)層介電質(zhì)，位于該第二接觸蝕刻停止層上，且接觸該第二接觸蝕刻停止層，其中該第一柵接觸窗插塞包含一上部位于該第二內(nèi)層介電質(zhì)中、以及一下部位于該第二接觸蝕刻停止層中。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，該第一柵接觸窗插塞的一第一部分位于該第一主動(dòng)區(qū)的正上方上，且垂直重疊于該第一主動(dòng)區(qū)，以及該第一柵接觸窗插塞的一第二部分位于該第一淺溝槽隔離區(qū)的正上方上，且垂直重疊于該第一淺溝槽隔離區(qū)。
9.一種半導(dǎo)體組件，其特征在于，包含：
一半導(dǎo)體基板，包含一主動(dòng)區(qū)；
一淺溝槽隔離區(qū)，位于該半導(dǎo)體基板中且鄰接該主動(dòng)區(qū)；
一金屬氧化物半導(dǎo)體組件，包含：
一金屬柵電極，位于該主動(dòng)區(qū)的正上方上；
一源極/漏極區(qū)，位于該主動(dòng)區(qū)中，且位于該金屬柵電極的一側(cè)；
一源極/漏極硅化區(qū)，位于該源極/漏極區(qū)上；以及
一柵接觸窗插塞，位于該金屬柵電極上，且電性耦合至該金屬柵電極，其中該柵接觸窗插塞位于該主動(dòng)區(qū)的正上方上；
一第一接觸蝕刻停止層，位于該源極/漏極硅化層上，且接觸該源極/漏極硅化層；
一第一內(nèi)層介電質(zhì)，位于該第一接觸蝕刻停止層上；
一第二接觸蝕刻停止層，位于該第一內(nèi)層介電質(zhì)與該第一接觸蝕刻停止層上，且接觸該第一內(nèi)層介電質(zhì)與該第一接觸蝕刻停止層；以及
一第二內(nèi)層介電質(zhì)，位于該第二接觸蝕刻停止層且接觸該第二接觸蝕刻停止層，其中該柵接觸窗插塞包含一上部位于該第二中間層介電質(zhì)中、以及一下部位于該第二接觸蝕刻停止層中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，還包含：
一附加淺溝槽隔離區(qū)，位于該半導(dǎo)體基板中；以及
一附加金屬氧化物半導(dǎo)體組件，包含：
一附加主動(dòng)區(qū)，位于該半導(dǎo)體基板中，且鄰接該附加淺溝槽隔離區(qū)；
一附加?xùn)烹姌O，位于該附加主動(dòng)區(qū)的正上方上；以及
一附加?xùn)艠O接觸窗插塞，位于該附加?xùn)烹姌O上，且電性耦合至該附加?xùn)艠O電極上，其中整個(gè)該附加?xùn)沤佑|窗插塞位于該附加淺溝槽隔離區(qū)的正上方上。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
