[發明專利]一種制備多晶硅太陽能電池發射極的擴散方法

有效

• 申請號: 201010584827.3
• 申請日: 2010-12-13
• 公開（公告）號: CN102148284A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 湯安民;梅曉東;石峰軍;姜平;董艷輝
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 吳關炳

1.一種制備多晶硅太陽能電池發射極的擴散方法，其特征在于，包括至少兩次有源擴散。

2.根據權利要求1所述的制備多晶硅太陽能電池發射極的擴散方法，其特征在于，包括兩次有源擴散，第二次擴散相對第一次擴散溫度高10-60℃，升溫速率為0.67℃/min-12℃/min。

3.根據權利要求2所述的制備多晶硅太陽能電池發射極的擴散方法，其特征在于，包括兩次有源擴散，步驟如下：

⑴?預氧化：在800-840℃對硅片表面進行預氧化處理，控制時間為5-15min，氧氣比例以體積百分計為3%-25%；

⑵?一次擴散：在800-840℃，使用液態POCl₃磷源，通入大N、氧氣和小N的混合氣體，對硅片進行第一次有源擴散，控制時間為10-30min，小N比例以體積百分計為5%-15%；

⑶?升溫并一次雜質再分布：在不通源且在氧氣保護下，將溫度升高到850-900℃，進行第一次雜質的再分布，控制時間為5-15min，氧氣比例以體積百分計為3%-25%；?

⑷?二次擴散：在850-900℃，使用液態POCl₃磷源，通入大N、氧氣和小N的混合氣體，對硅片進行第二次有源擴散，控制時間為10-30min，小N比例以體積百分計為5%-15%；

⑸?二次雜質再分布：在850-900℃、不通源且在氧氣保護下，進行第二次雜質再分布，控制時間為0-15min，氧氣比例以體積百分計為3%-25%；

⑹?冷卻：在氧氣保護下降溫冷卻，控制氧氣比例以體積百分計為3%-25%，然后取出硅片；

所述的大N為用于稀釋和推進混合氣體，使得混合氣體快速充滿爐管的大宗N₂，所述的小N為用于攜帶POCl₃進入爐管的小宗N₂。

4.根據權利要求1所述的制備多晶硅太陽能電池發射極的擴散方法，其特征在于，包括三次有源擴散，第二次擴散溫度相對第一次擴散溫度高10-40℃，升溫速率為0.67℃/min-8℃/min；第三次擴散溫度相對第二次擴散溫度高10-40℃，升溫速率為0.67℃/min-8℃/min。

5.根據權利要求4所述的制備多晶硅太陽能電池發射極的擴散方法，其特征在于，包括三次有源擴散，步驟如下：

⑴?預氧化：在800-830℃對硅片表面進行預氧化處理，控制時間為5-15min，氧氣比例以體積百分計為3%-25%；

⑵?一次擴散：在800-830℃，使用液態POCl₃磷源，通入大N、氧氣和小N的混合氣體，對硅片進行第一次有源擴散，控制時間為10-30min，小N比例以體積百分計為5%-15%；

⑶?升溫并一次雜質再分布：在不通源且在氧氣保護下，將溫度升高到840-870℃，進行第一次雜質的再分布，控制時間為5-15min，氧氣比例以體積百分計為3%-25%；

⑷?二次擴散：在840-870℃，使用液態POCl₃磷源，通入大N、氧氣和小N的混合氣體，對硅片進行第二次有源擴散，控制時間為10-30min，小N比例以體積百分計為5%-15%；

⑸?升溫并二次雜質再分布：在不通源且在氧氣保護下，將溫度升高到880-910℃，進行第二次雜質的再分布，控制時間為5-15min，氧氣比例以體積百分計為3%-25%；

⑹?三次擴散：在880-910℃，使用液態POCl₃磷源，通入大N、氧氣和小N的混合氣體，對硅片進行第二次有源擴散，控制時間為10-30min，小N比例以體積百分計為5%-15%；

⑺?三次雜質再分布：在880-910℃、不通源且在氧氣保護下，進行第三次雜質再分布，控制時間為0-15min，氧氣比例以體積百分計為3%-25%；

⑻?冷卻：在氧氣保護下降溫冷卻，控制氧氣比例以體積百分計為3%-25%，然后取出硅片；

所述的大N為用于稀釋和推進混合氣體，使得混合氣體快速充滿爐管的大宗N₂，所述的小N為用于攜帶POCl₃進入爐管的小宗N₂。