[發(fā)明專(zhuān)利]自對(duì)準(zhǔn)阻擋層形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010584316.1
• 申請(qǐng)日: 2010-12-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102543735A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周俊;陳薇宇;李紹彬;李赟
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種自對(duì)準(zhǔn)阻擋層形成方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)墻，所述半導(dǎo)體襯底中形成有無(wú)需自對(duì)準(zhǔn)的器件；

執(zhí)行離子注入工藝，以在所述側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源極和漏極；

在所述半導(dǎo)體襯底、柵極結(jié)構(gòu)以及側(cè)墻表面形成第一自對(duì)準(zhǔn)阻擋層；

執(zhí)行快速熱退火工藝；

在所述第一自對(duì)準(zhǔn)阻擋層表面形成第二自對(duì)準(zhǔn)阻擋層；

在無(wú)需自對(duì)準(zhǔn)的器件上方的第二自對(duì)準(zhǔn)阻擋層表面形成掩膜層；

刻蝕第一自對(duì)準(zhǔn)阻擋層和第二自對(duì)準(zhǔn)阻擋層。

2.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)阻擋層形成方法，其特征在于，刻蝕第一自對(duì)準(zhǔn)阻擋層和第二自對(duì)準(zhǔn)阻擋層的步驟包括：先執(zhí)行干法刻蝕工藝，再執(zhí)行濕法刻蝕工藝。

3.如權(quán)利要求2所述的自對(duì)準(zhǔn)阻擋層形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝去除所述側(cè)墻上部分厚度的第二自對(duì)準(zhǔn)阻擋層，所述濕法刻蝕工藝去除所述側(cè)墻上剩余的第二自對(duì)準(zhǔn)阻擋層和第一自對(duì)準(zhǔn)阻擋層。

4.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)阻擋層形成方法，其特征在于，所述第一自對(duì)準(zhǔn)阻擋層的厚度為100埃～150埃，所述第二自對(duì)準(zhǔn)阻擋層的厚度大于200埃。

5.如權(quán)利要求4所述的自對(duì)準(zhǔn)阻擋層形成方法，其特征在于，所述第一自對(duì)準(zhǔn)阻擋層的厚度為100埃～130埃，所述第二自對(duì)準(zhǔn)阻擋層的厚度為200埃～250埃。

6.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)阻擋層形成方法，其特征在于，所述快速熱退火工藝的退火溫度為200℃～1000℃。

7.如權(quán)利要求6所述的自對(duì)準(zhǔn)阻擋層形成方法，其特征在于，所述快速熱退火工藝的退火時(shí)間為10秒～60秒。

8.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)阻擋層形成方法，其特征在于，所述無(wú)需自對(duì)準(zhǔn)的器件為電路結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)阻擋層形成方法，其特征在于，所述自對(duì)準(zhǔn)阻擋層材料為富硅氧化物。

10.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)阻擋層形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材料為硅氧化物。